[發(fā)明專利]聚能爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110402020.8
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN102494570A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設計）人: 言志信
• 申請（專利權(quán)）人: 蘭州大學
• 主分類號: F42D1/00
• 分類號: F42D1/00
• 代理公司: 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002
• 代理人: 李艷華

1.聚能爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法，包括以下步驟：

(1)根據(jù)微差爆破設計要求對爆破開挖區(qū)劃定周邊輪廓線，并在主體爆破開挖區(qū)(3)內(nèi)布置微差爆破孔；

(2)沿所述爆破開挖區(qū)周邊輪廓線布置光面爆破孔；

(3)在長條形帶有空腔的線形聚能藥包(1)中嵌入線形藥型罩(2)，制成線形聚能爆炸切割器；在所述爆破開挖區(qū)周邊輪廓線之內(nèi)預留光面層(5)靠所述主體爆破開挖區(qū)(3)的一側(cè)待切割以形成貫穿裂縫平面(4)巖體的上方或前方布置所述線形聚能爆炸切割器；所述線形聚能爆炸切割器的所述線形藥型罩(2)指向待切割巖體，其對稱平面應與將要形成的所述貫穿裂縫平面(4)重合；在所述線形聚能藥包(1)內(nèi)布設低段雷管；所述預留光面層(5)的厚度為：所述爆破開挖區(qū)周邊將要形成的保留巖體壁面(6)與聚能爆破將形成的貫穿裂縫平面(4)之間的距離，亦即光面爆破的最小抵抗線；

(4)根據(jù)微差爆破設計要求對所述主體爆破開挖區(qū)(3)內(nèi)的微差爆破孔進行爆破裝藥，并比所述聚能爆破起爆雷管高二段開始隔段布設微差爆破雷管；

(5)根據(jù)巖體的類型對所述光面爆破孔按不耦合系數(shù)1.5～2.5進行爆破裝藥，并比所述主體爆破開挖區(qū)(3)最高段高二段布設雷管；其中所述巖體屬于軟巖時線裝藥密度為70～120g/m，所述巖體屬于中硬巖時線裝藥密度為120～300g/m，所述巖體屬于硬巖時線裝藥密度為300g/m～350g/m；

(6)對所述主體爆破開挖區(qū)(3)內(nèi)的微差爆破孔和所述光面爆破孔進行堵塞；

(7)連接起爆網(wǎng)路，實施一次起爆，進行微差爆破，即先所述線形聚能藥包(1)的低段雷管起爆，接著所述主體爆破開挖區(qū)(3)內(nèi)的微差爆破孔起爆，最后所述光面爆破孔起爆；

(8)出渣；

(9)重復上述步驟(1)～(8)，直至開挖完畢。

2.如權(quán)利要求1所述的聚能爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法，其特征在于：所述步驟(2)中光面爆破孔的直徑為38～42mm，且所述光面爆破孔的孔間距為所述預留光面層(5)厚度的0.6～0.9倍。

3.如權(quán)利要求1所述的聚能爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法，其特征在于：所述步驟(2)中預留光面層(5)厚度為10～20倍的所述光面爆破孔直徑。

4.如權(quán)利要求1所述的聚能爆破與光面爆破聯(lián)合控制爆破法，其特征在于：用下述方法代替權(quán)利要求1中所述步驟(7)：連接起爆網(wǎng)路，先起爆所述線形聚能藥包(1)，接著起爆所述主體爆破開挖區(qū)(3)內(nèi)的微差爆破孔，最后起爆所述光面爆破孔。