[發明專利]GaAs基含B高應變量子阱及其制備方法、半導體激光器有效
| 申請號： | 201110401751.0 | 申請日： | 2011-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN103151710A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 王琦;賈志剛;郭欣;任曉敏;黃永清 | 申請（專利權）人： | 北京郵電大學 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100876 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gaas 應變 量子 及其 制備 方法 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs基含B高應變量子阱的制備方法，包括以下步驟：
S1、在GaAs襯底上生長GaAs緩沖層；
S2、在所述GaAs緩沖層頂部生長高應變阱層，生長過程中通入B源以形成含B高應變阱層；
S3、在所述含B高應變阱層上生長GaAs壘層或應變補償壘層，以形成GaAs基含B高應變量子阱。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在S3步驟之后還包括：S4、重復步驟S2、S3若干次，形成多量子阱。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含B高應變阱層的材料為BInGaAs或BgaAsSb。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述應變補償層的材料為GaAsP、InGaP、BGaAs、GaAs-GaAsP、GaAs-InGaP、GaAs-BGaAs、GaAsP-GaAs、InGaP-GaAs、BGaAs-GaAs中的一種或幾種的組合。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含B高應變阱層中包含In或Sb，且In或Sb的組分大于或等于30％。
6.一種采用權利要求1～5中任一項所述的方法所制備的GaAs基含B高應變量子阱。
7.一種邊發射半導體激光器，其特征在于，所述激光器以權利要求6所述的GaAs基含B高應變量子阱作為有源區。
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