[發(fā)明專利]硅酮樹脂組成物的硬化方法、硬化物以及半導體裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110401718.8 | 申請日： | 2011-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN102532916A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 稲福健一;若尾幸;柏木努 | 申請（專利權(quán)）人： | 信越化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C08L83/07 | 分類號： | C08L83/07;C08L83/05;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 經(jīng)志強 |
| 地址： | 日本東京千代*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅酮 樹脂 組成 硬化 方法 以及 半導體 裝置 | ||
1.一種硅酮樹脂組成物的硬化方法，通過將硅酮樹脂組成物進行加熱來硬化，該硅酮樹脂組成物含有：
(A)一分子中具有2個以上烯基的有機聚硅氧烷；
(B)一分子中具有2個以上結(jié)合于硅原子上的氫原子的有機氫化聚硅氧烷，是相對于所述(A)成分中的烯基1當量，結(jié)合于硅原子上的氫原子成為0.1當量～4.0當量的量；以及
(C)光活性型催化劑，為催化劑量；并且
所述硬化方法的特征在于：該方法在加熱的步驟之前包括對硅酮樹脂組成物照射光的步驟，該光在發(fā)光光譜中的300nm至400nm的區(qū)域具有放射照度的最大峰值，且該光的位于短于300nm的波長區(qū)域的各波長的放射照度為所述最大峰值下的放射照度的5％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中包括以下步驟：利用濾光器來去除位于短于300nm的波長區(qū)域的波長，使位于短于300nm的波長區(qū)域的各波長的放射照度為最大峰值下的放射照度的5％以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中通過照射光的步驟，硅酮樹脂組成物凝膠化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中(A)有機聚硅氧烷含有SiO4/2單元及R3SiO1/2單元，式中，R相互獨立地為碳數(shù)1～10的未經(jīng)取代或經(jīng)取代的一價烴基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中(A)有機聚硅氧烷還含有R2SiO單元和/或RSiO3/2單元，式中，R相互獨立地為碳數(shù)1～10的未經(jīng)取代或經(jīng)取代的一價烴基。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中(C)成分為β-二酮鉑配合物催化劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法，其中(C)成分為雙(乙酰丙酮)鉑(II)。
8.一種硬化物，利用根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的硅酮樹脂組成物的硬化方法而獲得。
9.一種半導體裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的硬化物。
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