[發(fā)明專利]準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110401575.0
• 申請(qǐng)日: 2011-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN102466646A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢峰;魏青竹;孫利國(guó);任軍林;陸俊宇;汪燕玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇騰暉電力科技有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/95
• 分類號(hào): G01N21/95;G01B11/28
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟①，將準(zhǔn)單晶硅片表面積劃分成n×n陣列的網(wǎng)格，令每個(gè)網(wǎng)格面積占整個(gè)準(zhǔn)單晶硅片面積的1/(n×n)；

步驟②，將n×n陣列，通過(guò)網(wǎng)格線制作于一個(gè)透明基底，形成二維網(wǎng)格量尺；

步驟③，將二維網(wǎng)格量尺貼于準(zhǔn)單晶硅片表面；

步驟④，調(diào)整二維網(wǎng)格量尺的網(wǎng)格線外圍四個(gè)邊緣線，以與硅片四周邊緣重合；

步驟⑤，透過(guò)二維網(wǎng)格量尺的透明基底觀察硅片表面，找出硅片上單晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并統(tǒng)計(jì)出單晶晶粒、多晶晶粒占據(jù)的網(wǎng)格數(shù)量；

步驟⑥，將單晶晶粒占據(jù)的網(wǎng)格數(shù)量乘1/(n×n)，即為單晶晶粒占整個(gè)硅片面積的比例，將多晶晶粒占據(jù)的網(wǎng)格數(shù)量乘1/(n×n)，即為多晶晶粒占整個(gè)準(zhǔn)單晶硅片面積的比例。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法，其特征在于：所述的n＝3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法，其特征在于：所述的二維網(wǎng)格量尺的制造方法為，在暗室中利用光繪機(jī)在菲林底片中央位置繪制，將經(jīng)過(guò)光繪工序的菲林底片進(jìn)行顯影、定影處理，令光繪圖形區(qū)域保留下來(lái)，沒(méi)有被光照射區(qū)域變?yōu)橥该鞑糠?，?gòu)成二維網(wǎng)格量尺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法，其特征在于：所述的網(wǎng)格線線寬為10um至156um，透明基底厚度為5um至200um。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的準(zhǔn)單晶硅片的外觀檢測(cè)方法，其特征在于：所述的網(wǎng)格線線寬為50um，透明基底厚度為50um。