[發明專利]一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架

有效

• 申請號: 201110401256.X
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN102517557A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 李晨;王多書;熊玉卿;陳燾;王濟洲;張玲;董茂進
• 申請（專利權）人: 中國航天科技集團公司第五研究院第五一〇研究所
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 楊志兵;李愛英

1.一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于：所述基盤架為圓盤，在圓盤上等間隔開有一個或多個工字型孔；所有工字型孔的中心到圓盤圓心的距離相等；

沿x軸方向，工字型孔的孔長為20～22mm；

沿y軸方向，在工字型孔兩端分別設有孔的上部突臺和下部突臺，上部外側突臺長14～15mm，寬3～5mm，下部外側突臺長14～15mm，寬2～3mm；上部突臺和下部突臺之間為工字型孔的中部，工字型孔的中部寬8mm；

沿z軸方向，在工字型孔中部的兩邊下方分別設有兩個對稱的側板，兩個側板與基盤架垂直并融合；側板為三角形，有a、b、c三個面，其中c面與基盤架垂直，a、b面交匯于A線，a面與工字型孔的上部突臺的底面沿B線匯合，b、c面在C線相交，D線位于工字型孔的下部突臺底面的下端，c面延伸到D線；A線與a面交于A’點，C線與c面交于C’點，B線與c面交于B’點；

在c面上開有與A’C’線平行的滑道EF，滑道EF一端與A’B’線相交于F點，另一端延伸到基盤架表面的E點，E點與C’點位于基盤架的兩側；在對稱的另一側板上也開有與滑道EF平行的對稱滑道；

滑道深度小于側板厚度，滑道的傾斜度與A’C’線傾斜度相同，側板厚度大于打拿極護耳寬度e。

2.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于：側板壁厚為1～3mm，滑道長7～9mm，寬0.2～0.3mm，深0.55～0.6mm。

3.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于：滑道的傾斜度與A’C’線傾斜度相同，均為60°～80°。

4.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于：基片架的材料為銅、鋁、不銹鋼或聚四氟乙烯。

5.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于：所述電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架的使用過程如下：

步驟一、用酒精或丙酮超聲清洗基盤架及電子倍增器打拿極表面；

步驟二、將基盤架背面朝上安裝在真空室內，保證基盤架水平放置；

步驟三、用鑷子夾住清洗后的打拿極外殼，按照基盤架設計的滑道平行插入，待打拿極基片滑到臺階的末端后，松開鑷子，完成打拿極的安裝。