[發明專利]串聯超級電容器模組均壓模塊及均壓裝置無效
| 申請號： | 201110401033.3 | 申請日： | 2011-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN102403801A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發明（設計）人： | 胡仁杰;蔣瑋;黃學良;黃慧春 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H02J15/00 | 分類號： | H02J15/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 串聯 超級 電容器 模組 模塊 裝置 | ||
1.?一種串聯超級電容器模組均壓模塊，其特征在于：該模塊包括開關器件（SW）、高頻變壓器（T）、整流二極管（Dc）、穩壓電容（Ct）、反饋二極管（Df）和控制電路（C），其中：
所述高頻變壓器（T）由一次側繞組和二次側繞組組成，控制電路（C）包括電壓檢測接口和開關器件驅動接口；
所述高頻變壓器（T）一次側繞組同名端與串聯超級電容器模組中的單體超級電容器（Cn）正極連接，異名端與開關器件（SW）的漏極D連接，開關器件（SW）的源極S與單體超級電容器（Cn）負極連接，控制電路（C）的電壓檢測接口與單體超級電容器（Cn）并聯，控制電路（C）的驅動接口與開關器件（SW）的控制極G連接，高頻變壓器（T）二次側繞組通過整流二極管（Dc）與穩壓電容（Ct）及反饋二極管（Df）并聯。
2.?根據權利要求1所述的串聯超級電容器模組均壓模塊，其特征在于：所述的開關器件（SW）為電力場效應管MOSFET、電力晶體管GTR或絕緣柵雙極晶體管IGBT的半導體開關管；所述的整流二極管（Dc）和反饋二極管（Df）為肖特基二極管或超快恢復二極管。
3.?根據權利要求1所述的串聯超級電容器模組均壓模塊，其特征在于：所述高頻變壓器（T）的變比為1：K，其中1<K<N，N為串聯超級電容器模組中單體超級電容器數量，K越大，均壓速度越快。
4.?根據權利要求1所述的串聯超級電容器模組均壓模塊，其特征在于：穩壓電容（Ct）用于在高頻變壓器（T）二次側繞組輸出端建立電壓。
5.?一種由權利要求1所述的串聯超級電容器模組均壓模塊構成的超級電容器均壓裝置，其特征在于：串聯超級電容器模組中的每一個單體超級電容器（Cn）與該裝置中的一個均壓模塊并聯；串聯超級電容器模組中的某只單體超級電容器（Cn）并聯均壓模塊中，反饋二極管（Df）的陽極連接在與該單體超級電容器負極相連的單體超級電容器并聯均壓模塊的反饋二極管（Df）的陰極上，反饋二極管（Df）的陰極連接在與該單體超級電容器正極相連的單體超級電容器并聯均壓模塊的反饋二極管（Df）的陽極上。
6.?根據權利要求5所述的超級電容器均壓裝置，其特征在于：串聯超級電容器模組中第一只單體超級電容器（C1）并聯均壓模塊中的反饋二極管（Df）的陰極再接入充電回路。
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