[發(fā)明專利]DLC沉膜的膜厚均勻性控制方法及調整底盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110400924.7
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN103147070B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 付秀華;李琳;劉冬梅;張靜
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/26;C23C16/458
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 劉芳

1.一種DLC沉膜的膜厚均勻性控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，將待沉膜的工件置于金屬材質的調整底盤上，所述調整底盤與工件相適配，且調整底盤暴漏的周側面與所述工件的待沉膜表面之間形成連續(xù)的過渡；

步驟2，將所述工件及調整底盤放置于真空電場環(huán)境中；

步驟3，在所述工件的待沉膜表面及調整底盤暴漏的周側面沉積DLC膜層；

步驟4，將沉積有DLC膜的工件從所述調整底盤上取下即完成了對所述工件的DLC沉膜。

2.根據權利要求1所述的DLC沉膜的膜厚均勻性控制方法，其特征在于，所述步驟1具體為：所述調整底盤由金屬圓環(huán)和設在該金屬圓環(huán)內的底架構成；將所述待沉膜工件置于該底架和金屬圓環(huán)上，并使所述金屬圓環(huán)暴漏的周側面與所述工件的待沉膜表面之間形成連續(xù)的過渡。

3.根據權利要求2所述的DLC沉膜的膜厚均勻性控制方法，其特征在于，所述待沉膜的工件呈球冠狀，所述金屬圓環(huán)暴漏的周側面為一球臺的周側面，且該工件的底面半徑與該金屬圓環(huán)的上底面半徑相等。

4.一種調整底盤，其特征在于，該調整底盤由金屬制成，所述調整底盤用于與底端放置在其上的待沉膜的工件相適配，并且該調整底盤暴漏的周側面與所述工件的待沉膜表面之間形成連續(xù)的過渡。

5.根據權利要求4所述的調整底盤，其特征在于，所述調整底盤呈球臺狀、圓臺狀、錐臺狀、圓柱狀或棱柱狀。

6.根據權利要求4所述的調整底盤，其特征在于，所述調整底盤上設有用于對正該調整底盤與所述工件的定位軸或定位孔。

7.根據權利要求4或5或6所述的調整底盤，其特征在于，所述調整底盤由一金屬圓環(huán)和設于該金屬圓環(huán)內的底架構成；所述金屬圓環(huán)的內周側面與所述底架外壁相適配，所述金屬圓環(huán)暴漏的外周側面能與放置在其上的所述工件的待沉膜表面之間形成連續(xù)的過渡。