[發明專利]噴射沉積制備中空盤件的方法

有效

• 申請號: 201110400685.5
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN102424946A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 陳剛;嚴紅革;涂川俊;黃建軍
• 申請（專利權）人: 湖南大學
• 主分類號: C23C4/12
• 分類號: C23C4/12;C23C4/18
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪;楊斌

1.一種噴射沉積制備中空盤件的方法，包括以下步驟：首先，采用噴射沉積工藝在基體上成型出該中空盤件的底層，在底層上置放金屬輻盤或模塊，然后在置放有金屬輻盤或模塊的底層上繼續進行噴射沉積，直至成型出該中空盤件的頂層，得到夾有所述金屬輻盤或模塊的噴射沉積坯件；去除所述金屬輻盤或模塊外露于噴射沉積坯件的部分，得到包埋金屬輻條的噴射沉積坯件；再對包埋金屬輻條的噴射沉積坯件進行壓制或熱壓以進行致密化，最后對致密化后的噴射沉積坯件進行熱處理，利用熱處理過程中的加熱保溫階段熔出所述金屬輻條，使噴射沉積坯件中成型出尺寸與金屬輻條一致的通孔，獲得中空盤件成品；

所述金屬輻盤或模塊主要采用熔點高于噴射沉積過程中沉積層溫度、且熔點低于所述熱處理時加熱溫度的材料制作。

2.根據權利要求1所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于：所述金屬輻盤或模塊主要采用具有特定熔點的合金材料制作，所述特定熔點的合金材料是通過調整合金元素的比例獲得。

3.根據權利要求1或2所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于：所述噴射沉積過程中，噴射流與所述基體的平面呈傾斜夾角進行斜噴。

4.根據權利要求3所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于：所述夾角為30°～45°。

5.根據權利要求1或2所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于，所述噴射沉積時的工藝條件滿足：熔煉液體溫度為850℃以上，霧化氣體壓為0.8MPa～1.0MPa，增強顆粒的輸送壓力為0.3MPa～0.5MPa，基體的轉速為250r/min～300r/min，噴射高度為120mm～300mm。

6.根據權利要求1或2所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于，所述致密化過程中的工藝條件滿足：加熱溫度為400℃～450℃，壓制壓力為18MPa～22MPa，保壓時間為5min～10min。

7.根據權利要求1或2所述的噴射沉積制備中空盤件的方法，其特征在于，所述熱處理過程中的固溶溫度為520℃～580℃。