[發(fā)明專利]一種鐵磁/反鐵磁雙層膜釘扎場方向的調制方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110400671.3 | 申請日： | 2011-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN102496449A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 唐曉莉;蘇樺;張懷武;荊玉蘭;鐘智勇 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01F41/00 | 分類號： | H01F41/00;H01F41/14;H01F10/10 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反鐵磁 雙層 膜釘扎場 方向 調制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鐵磁/反鐵磁雙層膜釘扎場方向的調制方法，包括以下步驟：
步驟1：采用薄膜沉積工藝并在外磁場H1作用下，制備鐵磁/反鐵磁雙層膜；
所述外磁場H1為單一方向、大小恒定的磁場，其方向沿膜面、大小在50Oe～300Oe之間；
步驟1制備完成的鐵磁/反鐵磁雙層膜，其釘扎場Hex的方向與外磁場H1方向一致，并且定義該方向為釘扎場Hex的初始方向；
步驟2：在步驟1所得的鐵磁/反鐵磁雙層膜中以釘扎場Hex的初始方向為起點，沿角度θ方向施加外磁場H2，所述外磁場H2的大小應大于釘扎場Hex與鐵磁層矯頑力之和，同時在該雙層膜膜面沿外磁場H2方向施加一脈沖電流，所述脈沖電流的電流密度應大于105A/cm2，作用完成后，即可產(chǎn)生沿角度θ方向的新釘扎場。
2.根據(jù)權利要求1所述的鐵磁/反鐵磁雙層膜釘扎場方向的調制方法，其特征在于，所述鐵磁/反鐵磁雙層膜中，鐵磁層材料為Ni、Fe、Co或Ni/Fe/Co的合金，反鐵磁層材料為FeMn、NiMn、IrMn或PtMn合金。
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