[發明專利]等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法

無效

• 申請號: 201110400661.X
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN102543751A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 李愛東;李學飛;曹燕強;吳迪
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/283
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）對Ge襯底進行清洗；

2）對清洗好的Ge襯底進行S鈍化，之后將其移入ALD反應室；

3）在Ge襯底表面原位沉積Al₂O₃薄膜；

4）在Al₂O₃薄膜表面沉積HfO₂薄膜；

5）最后將沉積好的Ge襯底放入快速退火爐中退火，即得成品。

2.根據權利要求1所述的等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于步驟1）的清洗過程為：依次用丙酮、甲醇超聲清洗Ge襯底3~10?分鐘，再用HBr水溶液泡3~7?分鐘。

3.根據權利要求2所述的等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于HBr水溶液的重量比為：HBr/H₂O=1:3。

4.根據權利要求1、2或3所述的等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于步驟2）Ge襯底進行S鈍化的過程為：用(NH₄)₂S水溶液泡Ge襯底10~40分鐘。

5.根據權利要求1、2或3所述的等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于步驟3）原位沉積Al₂O₃薄膜的過程為：在150-300?℃的溫度下，先通入金屬源TMA?脈沖0.1-0.3s,?接著通入N₂脈沖清洗4-10s,再通入水蒸氣脈沖0.1-0.3s，最后通入N₂脈沖清洗4-10s；根據所要達到的Al₂O₃薄膜厚度循環前述步驟若干次。

6.根據權利要求1、2或3所述的等效氧化物厚度為亞納米的Ge基MOS器件的制備方法，其特征在于步驟4）沉積HfO₂薄膜的過程為：在150-300?℃的溫度下，通入金屬源TDMAH或TEMAH脈沖0.1-0.3s,?接著通入N₂脈沖清洗4-10s,再通入水蒸氣脈沖0.1-0.3s，最后通入N₂脈沖清洗4-10s；根據所要達到的HfO₂薄膜厚度循環前述步驟若干次。