[發明專利]像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201110399830.2
• 申請日: 2011-12-06
• 公開（公告）號: CN102496618A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 高金字;李育宗
• 申請（專利權）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種制作像素結構的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于該基板上形成一掃描線以及一柵極；

于該基板、該掃描線與該柵極上依序形成一絕緣層與一半導體層；

于該半導體層上形成一金屬層；

于該金屬層上形成一第一圖案化光阻層，其中該第一圖案化光阻層具有一平坦的頂面；

去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該金屬層，以形成一電極圖案以及一數據線，以及去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該半導體層，以形成一半導體信道，其中該數據線與該掃描線未重迭；

對該第一圖案化光阻層進行一灰化制程，以縮減該第一圖案化光阻層的厚度而形成一第二圖案化光阻層，其中該第二圖案化光阻層部分暴露出該電極圖案，且該第二圖案化光阻層的一頂面與該電極圖案的一頂面為共平面；

去除未被該第二圖案化光阻層覆蓋的該電極圖案以形成一源極與一漏極；

去除該第二圖案化光阻層；

于該源極、該漏極與該數據線上形成至少一保護層，其中該保護層具有一第一接觸洞部分暴露出該漏極，以及復數個第二接觸洞部分暴露出該數據線或該掃描線；以及

于該保護層上形成一圖案化透明導電層，其中該圖案化透明導電層包括一像素電極經由該第一接觸洞與該漏極電性連接，以及一連接電極經由該些第二接觸洞與該數據線或該掃描線電性連接。

2.如權利要求1所述的制作像素結構的方法，其特征在于，該第一圖案化光阻層是利用一非灰階光罩加以形成。

3.如權利要求1所述的制作像素結構的方法，其特征在于，該數據線包括一第一數據線段與一第二數據線段彼此分離并分別位于該掃描線的兩側，該保護層的該些第二接觸洞是分別部分暴露出該第一數據線段與該第二數據線段，且該連接電極經由該些第二接觸洞與該第一數據線段以及該第二數據線段電性連接。

4.如權利要求1所述的制作像素結構的方法，其特征在于，該掃描線包括一第一掃描線段與一第二掃描線段彼此分離并分別位于該數據線的兩側，該絕緣層具有復數個第三接觸洞分別與該保護層的該些第二接觸洞對應并分別部分暴露出該第一掃描線段與該第二掃描線段，且該連接電極經由該些第二接觸洞以及該些第三接觸洞與該第一掃描線段以及該第二掃描線段電性連接。

5.如權利要求1所述的制作像素結構的方法，其特征在于，還包括：

形成該金屬層之前，先于該半導體層上形成一奧姆接觸層；

去除未被該第一圖案化光阻層覆蓋的該奧姆接觸層；以及

去除未被該第二圖案化光阻層覆蓋的該奧姆接觸層。

6.一種像素結構，其特征在于，還包括：

一基板；

一掃描線以及一柵極，設置于該基板上；

一絕緣層，設置于該掃描線、該柵極與該基板上；

一半導體信道，設置于該絕緣層上并對應該柵極；

一數據線，設置于該絕緣層上，其中該數據線與該掃描線未重迭；

一源極與一漏極，設置于該半導體信道上；

一保護層，設置于該源極、該漏極與該數據線上，其中該保護層具有一第一接觸洞部分暴露出該漏極，以及復數個第二接觸洞部分暴露出該數據線或該掃描線；

一像素電極，設置于該保護層上并經由該第一接觸洞與該漏極電性連接；以及

一連接電極，設置于該保護層上并經由該些第二接觸洞與該數據線或該掃描線電性連接。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，該數據線包括一第一數據線段與一第二數據線段彼此分離并分別位于該掃描線的兩側，該保護層的該些第二接觸洞是分別部分暴露出該第一數據線段與該第二數據線段，且該連接電極經由該些第二接觸洞與該第一數據線段與該第二數據線段電性連接。

8.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，該掃描線包括一第一掃描線段與一第二掃描線段彼此分離并分別位于該數據線的兩側，該絕緣層具有復數個第三接觸洞分別與該保護層的該些第二接觸洞對應并分別部分暴露出該第一掃描線段與該第二掃描線段，且該連接電極經由該些第二接觸洞以及該些第三接觸洞與該第一掃描線段以及該第二掃描線段電性連接。

9.?如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，還包括一奧姆接觸層，位于該源極與該半導體信道之間，以及位于該漏極與該半導體信道之間。