[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110399563.9
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102569665A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 李俊雨
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強

1.一種有機發光顯示裝置，包括：

下電容器電極和有源層，形成在基底上，下電容器電極和有源層包括摻雜有離子雜質的半導體材料；

第一絕緣層，覆蓋有源層和下電容器電極；

第一柵電極，形成在第一絕緣層上并處于有源層上方；

第二柵電極，形成在第一柵電極上，第二柵電極包括蝕刻選擇率與第一柵電極不同的導電材料；

上電容器電極，包括與第一柵電極相同的材料并與第一柵電極形成在同一層，上電容器電極形成在第一絕緣層上并處于下電容器電極上方；

第二絕緣層，覆蓋第一柵電極和第二柵電極以及上電容器電極；

源電極和漏電極，形成在第二絕緣層上并電連接到有源層；

像素電極，從源電極和漏電極中的一個延伸以覆蓋形成有上電容器電極的整個區域；

發光層，位于像素電極上；以及

對電極，面對像素電極，其中，發光層設置在對電極與像素電極之間。

2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，第二絕緣層的下部直接連接到第一柵電極和第二柵電極以及上電容器電極，

第二絕緣層的上部直接連接到源電極和漏電極以及像素電極。

3.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，第一柵電極和上電容器電極包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和In₂O₃組成的組中選擇的任一種。

4.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，第一柵電極和上電容器電極的厚度均為或小于

5.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，由上電容器電極和下電容器電極形成的電容器包括金屬-絕緣體-金屬結構。

6.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，第二柵電極包括低電阻導電材料，像素電極還覆蓋形成有第二柵電極的區域。

7.根據權利要求6所述的有機發光顯示裝置，其中，低電阻導電材料包括銅。

8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，像素電極與源電極和漏電極形成在同一層。

9.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，像素電極包括與源電極和漏電極相同的材料。

10.根據權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中，像素電極包括順序地堆疊的第一導電層、第二導電層和第三導電層。

11.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置，其中，第一導電層包括鈦。

12.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置，其中，第二導電層包括銀或鋁。

13.根據權利要求10所述的有機發光顯示裝置，其中，第三導電層包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和In₂O₃組成的組中選擇的任一種。

14.一種制造有機發光顯示裝置的方法，所述方法包括：

第一掩模操作，包括：在基底上形成半導體層，并通過將半導體層圖案化來形成下電容器電極和薄膜晶體管的有源層；

第二掩模操作，包括：在基底上形成第一絕緣層以覆蓋有源層和下電容器電極，在第一絕緣層上順序地堆疊第一導電材料和蝕刻選擇率與第一導電材料不同的第二導電材料，通過圖案化來形成包括第一導電材料和第二導電材料的柵電極，并通過圖案化來形成包括第一導電材料的上電容器電極；

第三掩模操作，包括：在第二掩模操作的所得結構上形成第二絕緣層，并通過將第二絕緣層圖案化來形成暴露有源層的一部分的接觸孔；以及

第四掩模操作，包括：在第三掩模操作的所得結構上形成第三導電材料，通過將第三導電材料圖案化來形成源電極和漏電極，并通過使源電極和漏電極中的一個延伸以覆蓋形成有上電容器電極的整個區域來形成像素電極。

15.根據權利要求14所述的方法，所述方法還包括第五掩模操作，第五掩模操作包括：在第四掩模操作的所得結構上形成第三絕緣層，并通過將第三絕緣層圖案化來暴露像素電極。

16.根據權利要求15所述的方法，所述方法還包括：在執行第五掩模操作之后，在暴露的像素電極上形成發光層和對電極。

17.根據權利要求14所述的方法，其中，第二掩模操作使用半色調掩模。