[發明專利]溫度控制型晶體振子以及晶體振蕩器無效
| 申請號: | 201110399484.8 | 申請日: | 2011-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN102570974A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 淺村文雄;石井武仁 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 經志強 |
| 地址: | 日本東京涉谷區笹*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 控制 晶體 以及 晶體振蕩器 | ||
1.一種溫度控制型晶體振子,包括:在兩個面上設置有電極的晶體板、對所述晶體板進行加熱的加熱器、以及對所述晶體板的溫度進行檢測的傳感器,所述溫度控制型晶體振子包括晶體坯料,所述晶體坯料具有:
所述晶體板;
外周部,形成為將所述晶體板的周圍予以包圍;以及
連接部,將所述晶體板與所述外周部予以連接,
所述晶體坯料中,所述加熱器及所述傳感器形成為將所述晶體板的一個面或另一個面上所形成的所述電極的周圍予以包圍,
所述電極、所述加熱器、及所述傳感器分別借由引線而連接于所述外周部的端子。
2.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述引線形成在所述連接部上。
3.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述引線為打線接合。
4.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述加熱器以及所述傳感器由電阻體形成,所述電阻體是在不足晶體的α-β轉變溫度的溫度下形成。
5.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述連接部設置于所述晶體板的一條邊,所述溫度控制型晶體振子為單側固定型的溫度控制型晶體振子。
6.根據權利要求5所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述連接部設置于同一條邊上的兩個部位。
7.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述連接部設置于所述晶體板的相向的兩條邊,所述溫度控制型晶體振子為雙邊固定型的溫度控制型晶體振子。
8.根據權利要求1所述的溫度控制型晶體振子,其中
在夾持于包括凹部的兩塊硅板之間,且容納于所述兩塊硅板的凹部的狀態下,所述溫度控制型晶體振子被真空接合。
9.根據權利要求8所述的溫度控制型晶體振子,其中
所述硅板具有電阻率,該電阻率可獲得對電磁場進行遮蔽的屏蔽效果。
10.一種晶體振蕩器,包括:根據權利要求1至9中任一項所述的溫度控制型晶體振子、振蕩電路、以及溫度控制電路,
所述晶體振蕩器將所述振蕩電路的輸入側所設置的變容二極管,設置于所述溫度控制型晶體振子的晶體板。
11.根據權利要求10所述的晶體振蕩器,其中
將所述變容二極管設置于所述晶體板的形成有所述加熱器的面。
12.根據權利要求10所述的晶體振蕩器,其中
將所述變容二極管設置于與所述晶體板的形成有所述加熱器的面不同的面。
13.根據權利要求10所述的晶體振蕩器,其中
將芯片電阻連接于所述溫度控制電路,所述芯片電阻對流向所述加熱器的電流進行調整。
14.根據權利要求10所述的晶體振蕩器,其中
所述振蕩電路與所述溫度控制電路包含集成電路,
所述集成電路中包括:電阻,根據設定的電阻值,對流向所述加熱器的電流進行調整;以及非揮發性存儲器,存儲著多個電阻值,
將從所述非揮發性存儲器中所存儲的多個電阻值中選擇的電阻值,設定于所述電阻。
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