[發(fā)明專利]一種絕緣體上鍺襯底的減薄方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110399350.6
• 申請日: 2011-12-05
• 公開（公告）號: CN102420167A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王盛凱;劉洪剛;孫兵;薛百清;常虎東;趙威;盧力;王虹
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種絕緣體上鍺襯底的減薄方法，其特征在于，所述襯底結(jié)構(gòu)包括單晶襯底、阻擋層、鍺層；所述阻擋層置于單晶襯底之上，所述鍺層置于阻擋層之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上鍺襯底的減薄方法，其特征在于，所述單晶襯底通常是單晶硅襯底、單晶鍺、三五族材料或者單晶氧化物襯底；所述阻擋層成分是二氧化硅、氧化鋁、氧化鑭的主族、過渡族、稀土族氧化物、氮化物或者上述化合物組成的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)、或是上述元素組成的多元化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述絕緣體上鍺襯底的減薄方法，其特征在于，所述極薄鍺層為非晶、多晶或者單晶鍺，其晶面是100、110或者111的任何一種。

4.一種硅基絕緣體上鍺襯底的減薄方法，其特征在于，所述制備方法包括以下幾個步驟：

步驟1：把待減薄的表面清潔的襯底置于反應(yīng)腔體內(nèi)；

步驟2：向需要減薄的硅基絕緣體上鍺襯底表面沉積厚度為x的非晶二氧化鍺層；所述厚度x介于3埃至20納米之間；

步驟3：將反應(yīng)腔體抽至真空或者通入保護(hù)氣體；

步驟4：?加熱，使二氧化鍺與鍺襯底發(fā)生反應(yīng)并生成易揮發(fā)的一氧化鍺，達(dá)到減薄的目的；

步驟5：?循環(huán)步驟2至步驟4，直至達(dá)到目標(biāo)厚度為止。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上極薄鍺襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍺層厚度通過氧化加熱減薄得到的厚度小于10納米的結(jié)構(gòu)。

6.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基絕緣體上極薄鍺襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟3中，所述真空為氣體總壓強(qiáng)小于10^-3帕斯卡，所述保護(hù)氣是氧含量小于0.1%的純氮?dú)狻鍤狻⒑狻⒛蕷饣蛘呱鲜鰵怏w的混合氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基絕緣體上極薄鍺襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其

特征在于，所述步驟4中，通過熱傳導(dǎo)或者熱輻射的方法使反應(yīng)溫度達(dá)到400攝氏度至700攝氏度之間，所述減薄厚度為0.65x至0.75x之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基絕緣體上極薄鍺襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟4中，每次減薄厚度的系數(shù)0.65至0.75受鍺襯底的晶態(tài)決定，對于單晶鍺來說，該系數(shù)取0.65；對于非晶鍺來說，該系數(shù)趨近于0.75。