[發(fā)明專利]用于無電鍍的穩(wěn)定的納米粒子

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110398925.2
• 申請(qǐng)日: 2011-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN102560446A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鋒;M·A·熱茲尼科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C18/30
• 分類號(hào): C23C18/30;C23C18/31
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.一種組合物，它包含谷胱甘肽和鈀。

2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其中鈀呈納米粒子的形式，該組合物中的該鈀納米粒子為15ppm到1000ppm。

3.如權(quán)利要求2所述的組合物，其中，該組合物中的該鈀納米粒子為25ppm到50ppm。

4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其中pH值從2.5到10。

5.一種方法，它包括：

a)提供具有多個(gè)通孔的襯底；

b)將包含一種或多種陽離子表面活性劑的調(diào)節(jié)劑施加到該通孔；

c)將包含谷胱甘肽和鈀的組合物施加到該通孔；以及

d)利用無電鍍金屬浴將金屬沉積到該通孔的壁上。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中該組合物具有2.5到10的pH值范圍。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括在鄰近該通孔的壁上的金屬處電解沉積第二金屬的步驟。

8.一種方法，它包括：

a)提供具有通孔的襯底；

b)將溶劑溶脹施加到該通孔；

c)將氧化劑施加到該通孔；

d)將中和劑施加到該通孔；

e)將包含一種或多種陽離子表面活性劑的調(diào)節(jié)劑施加到該通孔；

f)微刻蝕該通孔；

g)將包含谷胱甘肽和鈀的組合物施加到該通孔；以及

h)利用無電鍍金屬浴將金屬沉積到該通孔的壁上。