[發(fā)明專利]一種具電流擴散結構的發(fā)光二極管與其制造方法

無效

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• 申請日: 2011-12-05
• 公開（公告）號: CN103137809A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 陳復邦;顏偉昱;張智松
• 申請（專利權）人: 聯(lián)勝光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮

1.一種具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，包含：

一N型半導體層；

一發(fā)光層，該發(fā)光層設置在該N型半導體層的一側；

一P型半導體層，該P型半導體層設置在該發(fā)光層遠離該N型半導體層的一側；

一N型電極，該N型電極具有一圖案分布，且設置在該N型半導體層遠離該發(fā)光層的一側；

一P型電極，該P型電極設置在該P型半導體層遠離該發(fā)光層的一側；

一電流阻擋層，該電流阻擋層具有該圖案分布且對應該N型電極埋設在該N型半導體層內。

2.根據(jù)權利要求1所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該電流阻擋層為選自金屬氧化物制成。

3.根據(jù)權利要求2所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該電流阻擋層為選自二氧化鈦與二氧化硅所組成的群組制成。

4.根據(jù)權利要求1所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該電流阻擋層的厚度為10～500納米。

5.根據(jù)權利要求1所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該N型半導體層包含一第一N型半導體層與一第二N型半導體層，該電流阻擋層設置在該第一N型半導體層與該第二N型半導體層之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該P型電極與該P型半導體層之間更設置一金屬反射層，該金屬反射層為選自鋁、鎳、銀與鈦所組成的群組制成。

7.根據(jù)權利要求6所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管，其特征在于，該金屬反射層與該P型電極之間更設置一屏障層、一結合層與一永久基板，該屏障層為選自鈦、鎢、鉑、鎳、鋁與鉻所組成的群組制成，該結合層為選自金錫合金、金銦合金與金鉛合金的任一種制成，該永久基板為選自硅基板、銅基板、銅鎢基板、氮化鋁基板與氮化鈦基板的任一種制成。

8.一種具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，步驟包含：

于一暫時基板上長晶形成一第一N型半導體層；

在該第一N型半導體層上形成具一圖案分布的一電流阻擋層；

在該第一N型半導體層上側向長晶形成一第二N型半導體層而包覆埋藏該電流阻擋層；

在該第二N型半導體層上形成一發(fā)光層；

在該發(fā)光層上形成一P型半導體層；

在該P型半導體層上形成一金屬反射層；

在該金屬反射層上形成一屏障層；

使該屏障層通過一結合層與一永久基板結合；

去除該暫時基板，在該永久基板鍍上一P型電極；

讓該第一N型半導體層的表面粗糙化，并在對應該電流阻擋層的位置鍍上具該圖案分布的一N型電極。

9.根據(jù)權利要求8所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該電流阻擋層為選自金屬氧化物制成。

10.根據(jù)權利要求9所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該電流阻擋層為選自二氧化鈦與二氧化硅所組成的群組制成。

11.根據(jù)權利要求8所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該電流阻擋層的厚度為10～500納米。

12.根據(jù)權利要求8所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該金屬反射層為選自鋁、鎳、銀與鈦所組成的群組制成。

13.根據(jù)權利要求8所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該屏障層為選自鈦、鎢、鉑、鎳、鋁與鉻所組成的群組制成，該結合層為選自金錫合金、金銦合金與金鉛合金的任一種制成，該永久基板為選自硅基板、銅基板、銅鎢基板、氮化鋁基板與氮化鈦基板的任一種制成。

14.根據(jù)權利要求8所述的具電流擴散結構的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，在該暫時基板上長晶形成該第一N型半導體層之前，先在該暫時基板上形成一緩沖半導體層，并在去除該暫時基板時，同時去除該緩沖半導體層。