[發明專利]一種具有非均勻浮島結構的VDMOS器件

無效

• 申請號: 201110398654.0
• 申請日: 2011-12-05
• 公開（公告）號: CN102420251A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 任敏;李澤宏;鄧光敏;張靈霞;張金平;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種具有非均勻浮島結構的VDMOS器件，包括金屬化源電極(1)、多晶硅柵電極(2)、絕緣介質層(3)、第一導電類型半導體摻雜源區(4)、第二導電類型半導體基區(5)、第二導電類型半導體摻雜接觸區(6)、第一導電類型半導體摻雜漂移區(7)、第一導電類型半導體摻雜襯底(10)和金屬化漏電極(11)；金屬化漏電極(11)位于第一導電類型半導體摻雜襯底(10)的背面，第一導電類型半導體摻雜漂移區(7)位于第一導電類型半導體摻雜襯底(10)的正面；第二導電類型半導體基區(5)位于第一導電類型半導體摻雜漂移區(7)的頂部兩側，第二導電類型半導體基區(5)內具有分別與金屬化源電極(1)相接觸的第一導電類型半導體摻雜源區(4)和第二導電類型半導體摻雜接觸區(6)；柵介質層位于第二導電類型半導體基區(5)和第一導電類型半導體摻雜漂移區(7)的上表面，多晶硅柵電極(2)位于柵介質層的上表面，多晶硅柵電極(2)與金屬化源電極(1)之間填充的是絕緣介質層(3)；

其特征在于，所述第一導電類型半導體摻雜漂移區(7)內部還具有非均勻浮島結構，所述非均勻浮島結構包括至少兩層第二導電類型半導體浮島：上層第二導電類型半導體浮島(8)和下層第二導電類型半導體浮島(9)；所述上層第二導電類型半導體浮島(8)的橫向寬度尺寸大于下層第二導電類型半導體浮島(9)的橫向寬度尺寸，且所述上層第二導電類型半導體浮島(8)的摻雜濃度小于下層第二導電類型半導體浮島(9)的摻雜濃度。

2.根據權利要求1所述具有非均勻浮島結構的VDMOS器件，其特征在于，當所述第一導電類型半導體為N型半導體、第二導電類型半導體為P型半導體時，所述VDMOS器件為N溝道VDMOS器件。

3.根據權利要求1所述具有非均勻浮島結構的VDMOS器件，其特征在于，當所述第一導電類型半導體為P型半導體、第二導電類型半導體為N型半導體時，所述VDMOS器件為P溝道VDMOS器件。

4.根據權利要求1所述具有非均勻浮島結構的VDMOS器件，其特征在于，所述第一、第二導電類型半導體材料為體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅復合材料。