[發(fā)明專利]電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110398459.8
• 申請(qǐng)日: 2011-12-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103138247B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙宏偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱固泰電子有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H02H9/04
• 分類號(hào): H02H9/04
• 代理公司: 哈爾濱東方專利事務(wù)所23118
• 代理人: 陳曉光

技術(shù)領(lǐng)域：

發(fā)明涉及一種用于無(wú)觸點(diǎn)電子喇叭電子開(kāi)關(guān)的保護(hù)裝置；具體涉及一種用于汽車的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

喇叭電子開(kāi)關(guān)的作用是為了控制電磁線圈的通斷來(lái)驅(qū)動(dòng)膜片使喇叭發(fā)生，喇叭工作時(shí)在電子開(kāi)關(guān)及電磁線圈回路中會(huì)流過(guò)4—5A工作電流，因此電磁線圈在關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較高的峰值電壓（通常大于500V）。目前在喇叭電路中多采用線圈MOSFET作為電子開(kāi)關(guān)使用，為保證導(dǎo)通電阻值要求通常選擇此種電子開(kāi)關(guān)的耐壓值在200V左右，喇叭在工作時(shí)線圈MOSFET處于擊穿狀態(tài)，擊穿會(huì)導(dǎo)致MOSFET熱損耗增加，降低其工作的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容：

發(fā)明的目的是提供一種線圈MOSFET的過(guò)壓保護(hù)、吸收電路，用來(lái)保證喇叭工作時(shí)線圈MOSFET不處于擊穿狀態(tài)。

上述的目的通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，其組成包括：電容、功率電阻，所述的電容與所述的功率電阻并聯(lián)或串聯(lián)在線圈兩端或并聯(lián)在線圈MOSFET的D極、S極之間。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，在所述的線圈MOSFET的D極、S極之間并聯(lián)瞬態(tài)抑制二極管TVS；在所述的線圈MOSFET兩端并聯(lián)壓敏電阻；所述的電容是無(wú)極性電解電容或MLCC電容或有極性電解電容。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的無(wú)極性電解電容或所述的MLCC電容與所述的功率電阻串聯(lián)電路包括電源，所述的電源串聯(lián)二極管D1，所述的二極管串聯(lián)線圈，所述的線圈并聯(lián)無(wú)極性電解電容和功率電阻，所述的無(wú)極性電解電容串聯(lián)所述的功率電阻，所述的線圈與所述的無(wú)極性電解電容連接電子開(kāi)關(guān)。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的無(wú)極性電解電容容值為4.7—10微法，耐壓值在90-110V，插件或貼片封裝；所述的MLCC電容容值為10微法，耐壓值在90-110V，所述的功率電阻為0.2—1歐姆、3W、貼片封裝。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的有極性電解電容與所述的功率電阻并聯(lián)電路包括電源，所述的電源串聯(lián)二極管D1，所述的二極管串聯(lián)線圈，所述的線圈連接電子開(kāi)關(guān)、所述的有極性電解電容和所述的功率電阻，所述的有極性電解電容串聯(lián)所述的功率電阻。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的有極性電解電容容值為10微法，耐壓值在90-110V，插件或貼片封裝。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的瞬態(tài)抑制二極管TVS并聯(lián)在所述的線圈MOSFET的D、S極之間的電路包括電源，所述的電源串聯(lián)二極管D1，所述的二極管串聯(lián)線圈MOSFET，所述的線圈MOSFET連接電子開(kāi)關(guān)和瞬態(tài)抑制二極管TVS。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的瞬態(tài)抑制二極管TVS為管箝位電壓在70-90V，插件或貼片封裝。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的壓敏電阻并聯(lián)在所述的線圈MOSFET的D、S極之間的電路包括電源，所述的電源串聯(lián)二極管D1，所述的二極管連接所述的線圈MOSFET和所述的壓敏電阻，所述的線圈MOSFET并聯(lián)或串聯(lián)所述的壓敏電阻，所述的線圈MOSFET和所述的壓敏電阻連接電子開(kāi)關(guān)。

所述的電子開(kāi)關(guān)保護(hù)電路，所述的壓敏電阻箝位電壓為70-90V，插件或貼片封裝。

有益效果：

1.本發(fā)明采用無(wú)極性電解電容的容值4.7—10微法，耐壓值在100V左右，插件或貼片封裝結(jié)構(gòu)，功率電阻采用0.2—1歐姆/3W貼片封裝的功率電阻優(yōu)化了電路板設(shè)計(jì)，提高了可靠性，采用此種方式通常會(huì)將線圈MOSFET的D極電壓控制在100V以內(nèi)。

2.本發(fā)明采用MLCC電容通常選擇10微法，耐壓值在100V左右，可靠性明顯提高；功率電阻能夠?qū)⒕€圈MOSFET的D極電壓控制在100V以內(nèi)；可有效避免喇叭頻繁工作時(shí)對(duì)線圈MOSFET的損傷。可使對(duì)線圈MOSFET性能指標(biāo)要求降低從而降低了喇叭設(shè)計(jì)成本。

3.本發(fā)明采用有極性電解電容容值采用10微法，耐壓值在100V左右，封裝形式可以采用插件或貼片結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒕€圈MOSFET的D極電壓控制在80V以內(nèi)。

4.本發(fā)明選用的瞬態(tài)抑制二極管TVS管箝位電壓在80V左右，封裝形式可以采用插件或貼片結(jié)構(gòu)，不需要使用功率電阻可以有效地降低成本。