[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110398236.1
• 申請(qǐng)日: 2011-12-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102431959A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊筆鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 煙臺(tái)睿創(chuàng)微納技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81C1/00
• 分類(lèi)號(hào): B81C1/00;B81B7/00
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將一個(gè)半導(dǎo)體MEMS芯片與一個(gè)包括電極陶瓷塊和墻體的壁型殼體連接為一體；

步驟二：將一個(gè)光學(xué)窗口與步驟一制成的結(jié)構(gòu)密封連接成一個(gè)密封腔體。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述步驟一具體為：

a.制備一個(gè)半導(dǎo)體MEMS芯片，使所述半導(dǎo)體MEMS芯片包括位于半導(dǎo)體MEMS芯片中部的MEMS結(jié)構(gòu)區(qū)、位于半導(dǎo)體MEMS芯片邊緣呈閉合結(jié)構(gòu)的密封連接區(qū)域及位于所述MEMS結(jié)構(gòu)區(qū)兩側(cè)密封連接區(qū)域內(nèi)部的金屬化焊盤(pán)；

b.制備一個(gè)壁型殼體，使所述壁型殼體包括電極陶瓷塊和墻體兩部分，電極陶瓷塊鑲嵌在墻體中，位于墻體內(nèi)側(cè)的電極陶瓷塊上制作有金屬焊盤(pán)，墻體外側(cè)的電極陶瓷塊上制作有金屬引腳，金屬焊盤(pán)與金屬引腳分別電連通；

c.使用透光密封材料制備一個(gè)光學(xué)窗口，使所述光學(xué)窗口包括位于光學(xué)窗口邊緣呈閉合結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域和被連接區(qū)域閉合包圍在內(nèi)部的通光區(qū)域；

d.將壁型殼體安裝并密封連接在半導(dǎo)體MEMS芯片上的密封連接區(qū)域上；

e.通過(guò)金絲將半導(dǎo)體MEMS芯片上的金屬焊盤(pán)與壁形殼體上的金屬焊盤(pán)連接起來(lái)；

f.將吸氣劑安裝在壁型殼體的墻體內(nèi)側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述步驟二具體為：

g.將光學(xué)窗口與壁型殼體未與半導(dǎo)體MEMS芯片連接的一面密封連接在一起，半導(dǎo)體MEMS芯片、壁型殼體和光學(xué)窗口三部分組成一個(gè)密封腔體。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟e中通過(guò)金絲鍵合方法將半導(dǎo)體MEMS芯片上的金屬焊盤(pán)與壁形殼體上的金屬焊盤(pán)連接起來(lái)。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟a、b、c的順序可互換。

6.如權(quán)利要求1至5任意項(xiàng)所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟一或步驟二中的連接方式為金屬密封焊接。

7.如權(quán)利要求1至5任意項(xiàng)所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝方法，其特征在于，所述的步驟一或步驟二中的連接方式為通過(guò)粘接材料密封粘接。

8.一種半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括一個(gè)半導(dǎo)體MEMS芯片、一個(gè)光學(xué)窗口和一個(gè)吸氣劑，其特征在于，還包括一個(gè)壁型殼體，所述半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)由一個(gè)半導(dǎo)體MEMS芯片、一個(gè)光學(xué)窗口和一個(gè)壁型殼體三部分組成一個(gè)密封腔體，所述吸氣劑置于該密封腔體內(nèi)部。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體MEMS芯片設(shè)有位于半導(dǎo)體MEMS芯片中部的MEMS結(jié)構(gòu)區(qū)、位于半導(dǎo)體MEMS芯片邊緣呈閉合結(jié)構(gòu)的密封連接區(qū)域及位于所述MEMS結(jié)構(gòu)區(qū)兩側(cè)密封連接區(qū)域內(nèi)部的金屬化焊盤(pán)，所述壁型殼體包括電極陶瓷塊和墻體，電極陶瓷塊鑲嵌在墻體中，位于墻體內(nèi)側(cè)的電極陶瓷塊上制作有金屬焊盤(pán)，墻體外側(cè)的電極陶瓷塊上制作有金屬引腳，金屬焊盤(pán)與金屬引腳分別電連通，所述光學(xué)窗口包括位于光學(xué)窗口邊緣呈閉合結(jié)構(gòu)的連接區(qū)域和被連接區(qū)域閉合包圍在內(nèi)部的通光區(qū)域。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸氣劑置于壁型殼體的墻體內(nèi)側(cè)。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壁型殼體安裝并密封連接在半導(dǎo)體MEMS芯片上的密封連接區(qū)域上，所述半導(dǎo)體MEMS芯片上的金屬焊盤(pán)與壁形殼體上的金屬焊盤(pán)通過(guò)金絲連接。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光學(xué)窗口上的連接區(qū)域與壁型殼體未與半導(dǎo)體MEMS芯片連接的一面的墻體密封連接在一起。

13.如權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述密封連接方式為金屬密封焊接或通過(guò)粘接材料密封粘接，所述金絲通過(guò)金絲鍵合方式將半導(dǎo)體MEMS芯片上的金屬焊盤(pán)與壁形殼體上的金屬焊盤(pán)連接起來(lái)。