[發明專利]用于覆蓋標記的結構和方法

有效

• 申請號: 201110398058.2
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102569172A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 王憲程;溫明璋;陳俊光;辜耀進
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/265;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種用于處理半導體襯底的方法，所述半導體襯底包括器件區域和覆蓋區域，所述方法包括：

對所述器件區域和所述覆蓋區域內的所述半導體襯底實施第一離子注入；

形成所述器件區域中的第一多晶硅柵疊層和所述覆蓋區域中的第二多晶硅柵疊層；

對所述半導體襯底實施第二離子注入；

對所述半導體襯底實施第三離子注入；以及

用金屬柵疊層替換所述第一多晶硅柵疊層和所述第二多晶硅柵疊層；

其中，針對所述覆蓋區域內的所述半導體襯底的總硼離子注入劑量大于約2×10¹⁵個離子/cm²。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

使用所述覆蓋區域和另一覆蓋區域中的所述金屬柵疊層測量覆蓋誤差；

基于所述覆蓋誤差正確地曝光光刻膠層。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體襯底上方形成層間介電(ILD)材料層。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在實施所述第三離子注入之前，用金屬柵疊層替換所述第一多晶硅柵疊層和所述第二多晶硅柵疊層。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：對于所述器件區域內的結構和所述半導體襯底以及所述覆蓋區域內的結構和所述半導體襯底實施一次或多次離子注入。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，向金屬柵疊層施加實施一次或多次離子注入的步驟。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，針對所述覆蓋區域內的所述半導體襯底的總離子注入劑量包括總體大于約3×10¹⁵個離子/cm²的砷和/或磷。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，針對所述覆蓋區域內的所述半導體襯底的總離子注入劑量包括大于約1×10¹⁴個離子/cm²的銦、大于約1.2×10¹⁵個離子/cm²的氮或者大于約2.4×10¹⁵個離子/cm²的碳。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二離子注入包括：n型輕摻雜漏極(n-LDD)摻雜工藝，其中，摻雜劑量大于約2×10¹⁴個離子/cm²。

10.一種部分制造的半導體晶圓，包括半導體覆蓋結構，其中，所述半導體覆蓋結構包括：

柵疊層結構，形成在所述半導體襯底上方并被配置為半導體晶圓上的覆蓋區域中的覆蓋標記；以及

摻雜半導體襯底，位于所述柵疊層結構的兩側，其中，所述摻雜半導體襯底包括摻雜濃度，所述摻雜濃度至少等于或大于與所述半導體晶圓上的器件區域中的所述柵疊層結構相鄰的所述半導體襯底中的摻雜濃度。