[發(fā)明專利]一種基于標(biāo)準(zhǔn)單柵CMOS工藝的EEPROM

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110397938.8
• 申請(qǐng)日: 2011-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN102437162A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉樂;王逸瀟;廖懷林;黃如
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L23/522
• 代理公司: 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長(zhǎng)江

1.一種基于標(biāo)準(zhǔn)單柵CMOS工藝的EEPROM，包括一MOS管，其特征在于所述MOS管上部覆蓋有N層金屬層，第N層金屬層上設(shè)有一電容結(jié)構(gòu)，第N層金屬層覆蓋所述電容結(jié)構(gòu)的底部；第N層金屬層包括電隔離的a區(qū)和b區(qū)，b區(qū)位于a區(qū)外圍，a區(qū)與所述MOS管柵極部位對(duì)應(yīng)，a區(qū)電連接到所述MOS管的柵極且與所述電容結(jié)構(gòu)底部電連接，b區(qū)電連接到所述電容結(jié)構(gòu)的頂部，所述電容結(jié)構(gòu)的頂部引出作為EEPROM控制柵，所述MOS管的柵極作為EEPROM的浮柵，MOS管的源極、漏極和襯底分別引出作為EEPROM的源極、漏極和襯底；其中，N為自然數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述b區(qū)金屬層面積大于或等于所述電容結(jié)構(gòu)的底部。

3.如權(quán)利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述電容結(jié)構(gòu)包括由第N+1層到第M-1層金屬層構(gòu)成的叉指電容結(jié)構(gòu)和一作為電容結(jié)構(gòu)頂部的第M層金屬層；所述叉指電容結(jié)構(gòu)中每一金屬層包括電隔離的A區(qū)和B區(qū)，第M-1層金屬層B區(qū)向下電連接至第N+1層各金屬層的B區(qū)域，第M-1層金屬層A區(qū)向下電連接到第N+1層各金屬層的A區(qū)域；所述b區(qū)電連接到第N+1層金屬層的B區(qū)，所述a區(qū)電連接到第N+1層金屬層的A區(qū)；第M層金屬層與第M-1層金屬層的B區(qū)電連接；第M層金屬引出作為EEPROM控制柵；其中，連接到所述MOS管柵極的金屬部分稱為A區(qū)域，連接到上層金屬層的部分稱為B區(qū)域，M為自然數(shù)，且M大于N。

4.如權(quán)利要求3所述的EEPROM，其特征在于第M-1層金屬層B區(qū)通過通孔向下電連接至第N+1層各金屬層的B區(qū)域，第M-1層金屬層A區(qū)通過通孔向下電連接到第N+1層各金屬層的A區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的EEPROM，其特征在于a區(qū)通過通孔電連接到所述MOS管的柵極，所述a區(qū)通過通孔電連接到第N+1層金屬層的B區(qū)，b區(qū)通過通孔電連接到第N+1層金屬層的B區(qū)；第M層金屬層通過通孔與第M-1層金屬層的B區(qū)電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的EEPROM，其特征在于連接B區(qū)的通孔位于B區(qū)金屬邊緣。

7.如權(quán)利要求6所述的EEPROM，其特征在于每一B區(qū)具有多個(gè)通孔，不同金屬層B區(qū)內(nèi)的通孔位置對(duì)應(yīng)一致。

8.如權(quán)利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述電容結(jié)構(gòu)為層疊金屬板電容。

9.如權(quán)利要求1至8任一所述的EEPROM，其特征在于所述a區(qū)與b區(qū)之間設(shè)有一溝槽，用于電隔離所述a區(qū)和b區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的EEPROM，其特征在于所述溝槽為一矩形、或圓形、或八角形溝槽。