[發(fā)明專利]氧化硅玻璃坩堝的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110396967.2
• 申請(qǐng)日: 2011-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN102531343A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 須藤俊明;吉岡拓麿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本超精石英株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03B19/09
• 分類號(hào): C03B19/09
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

(1)在旋轉(zhuǎn)的模具內(nèi)供應(yīng)氧化硅原料粉，形成坩堝形成形體的工序；

(2)一邊旋轉(zhuǎn)上述坩堝形成形體，一邊以由內(nèi)面至外面的方向進(jìn)行減壓并進(jìn)行電弧加熱，而形成具有內(nèi)面?zhèn)鹊耐该鲗蛹巴饷鎮(zhèn)鹊暮瑲馀輰拥?、具有由底部及與該底部相連的壁部組成的有底圓筒形狀的氧化硅玻璃坩堝的工序；

(3)在通過電弧加熱熔化上述氧化硅玻璃坩堝的內(nèi)面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，通過控制賦予該氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速，使該氧化硅玻璃坩堝的上述透明層的表面附近的殘留有氣泡的氧化硅玻璃層集中到底部的徑向外側(cè)的透明層中的工序；

(4)在通過電弧加熱熔化上述氧化硅玻璃坩堝的內(nèi)面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，通過控制賦予該氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速，將移動(dòng)上述殘留有氣泡的氧化硅玻璃層而暴露的上述透明層表面的無氣泡層的一部分移動(dòng)至底部的徑向外側(cè)，利用該無氣泡層覆蓋氣泡集中區(qū)域的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：

上述工序（3）包括：

(A)在通過電弧加熱熔化上述氧化硅玻璃坩堝的壁部的內(nèi)面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，控制該氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速，使存在于該壁部的透明層表面的殘留有氣泡的氧化硅玻璃層向底部移動(dòng)的工序；

(B)在通過電弧加熱熔化上述氧化硅玻璃坩堝的壁部的內(nèi)面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，控制該氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速，使存在于該底部的透明層表面的殘留有氣泡的氧化硅玻璃層向底部的徑向外側(cè)移動(dòng)的工序。

3.如權(quán)利要求2所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于包括：

上述工序(A)包含將上述氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速控制在使該氧化硅玻璃坩堝的壁部位置上的加速度達(dá)到13m/s²以下的范圍的工序；

上述工序(B)包含將上述氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速控制在使該氧化硅玻璃坩堝的壁部位置上的加速度達(dá)到17m/s²以下的范圍的工序；

上述工序(3)包含將上述氧化硅玻璃坩堝的轉(zhuǎn)速控制在使該氧化硅玻璃坩堝的壁部位置上的加速度達(dá)到12m/s²以上且20m/s²以下的范圍的工序。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：

在上述工序(2)～工序(4)中，上述電弧加熱是在1800℃以上且2600℃以下的溫度下進(jìn)行的。

5.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于：

上述工序（1）包括：

在上述旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)供應(yīng)天然氧化硅粉而形成外層的工序，以及

在上述外層上供應(yīng)合成氧化硅粉并而形成內(nèi)層的工序。