[發明專利]摻雜方法、PN結構、太陽能電池及其制作方法

無效

• 申請號: 201110396879.2
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN103137448A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳炯;洪俊華;錢鋒
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 朱水平;王婧荷

1.一種摻雜方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S₁、在一N型基底的表面和背面形成絨面；

步驟S₂、通過離子注入的方式在該N型基底的背面中形成N型重摻雜區域和N型輕摻雜區域，其中該N型輕摻雜區域為與該N型重摻雜區域接觸的、且N型離子的摻雜濃度小于該N型重摻雜區域的區域；

步驟S₃、通過熱擴散的方式在該N型基底的表面中形成一P型摻雜層。

2.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟S₂包括以下步驟：

步驟S₂₁、在該N型基底的背面上形成一掩膜，未被該掩膜覆蓋的區域為開放區域；

步驟S₂₂、加速N型離子并通過離子注入的方式將該N型離子從該開放區域注入至該N型基底的背面中；

步驟S₂₃、去除該掩膜，加速N型離子并通過離子注入的方式將該N型離子注入至該N型基底的背面中；或者，

步驟S_21’、加速N型離子并通過離子注入的方式將該N型離子注入至該N型基底的背面中；

步驟S_22’、在該N型基底的背面上形成一掩膜，未被該掩膜覆蓋的區域為開放區域；

步驟S_23’、加速N型離子并通過離子注入的方式將該N型離子從該開放區域注入至該N型基底的背面中，之后去除該掩膜；

其中，經過一次離子注入的區域形成該N型輕摻雜區域，經過兩次離子注入的區域形成該N型重摻雜區域。

3.如權利要求1或2所述的摻雜方法，其特征在于，

步驟S₂中通過加速N型離子至500eV-50keV并通過離子注入的方式形成該N型重摻雜區域和該N型輕摻雜區域，使該N型重摻雜區域的方塊電阻為10-50Ω/□，該N型輕摻雜區域的方塊電阻為60-120/□。

4.如權利要求1或2所述的摻雜方法，其特征在于，

該N型重摻雜區域的寬度為50-500μm，該N型輕摻雜區域的寬度為500-3000μm。

5.一種PN結構，其特征在于，其包括：

一N型基底，該N型基底的表面和背面為絨面；

形成于該N型基底的背面中的N型重摻雜區域和N型輕摻雜區域，其中該N型輕摻雜區域為與該N型重摻雜區域接觸的、且N型離子的摻雜濃度小于該N型重摻雜區域的區域；

形成于該N型基底的表面中的一P型摻雜層。

6.如權利要求5所述的PN結構，其特征在于，

其中該N型重摻雜區域的方塊電阻為10-50Ω/□，該N型輕摻雜區域的方塊電阻為60-120Ω/□。

7.如權利要求5所述的PN結構，其特征在于，

其中該N型重摻雜區域的寬度為50-500μm，該N型輕摻雜區域的寬度為500-3000μm。

8.如權利要求5-7中任意一項所述的PN結構，其特征在于，該PN結構通過如權利要求1-4中任意一項所述的摻雜方法得到。

9.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，按照權利要求1-4中任意一項所述的摻雜方法獲得一PN結構之后，還包括以下步驟：

在該PN結構的表面和背面分別形成一表面鈍化層和一背面鈍化層；

在該表面鈍化層上形成一表面減反射層，在該背面鈍化層上形成一背面減反射層；

在該表面減反射層上形成陽電極，在該背面減反射層上與該N型重摻雜區域相對應的區域形成陰電極；

燒結該陽電極和該陰電極，使該陽電極和該陰電極與該PN結構共晶復合。

10.如權利要求9所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過PECVD形成該表面鈍化層和/或該背面鈍化層，該表面鈍化層和/或該背面鈍化層為氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化硅和非晶硅薄膜中的一種或多種的疊層；或者，通過硝酸氧化的方法形成該表面鈍化層和/或該背面鈍化層，該表面鈍化層和/或該背面鈍化層為二氧化硅薄膜。

11.如權利要求9所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，通過PECVD形成該表面減反射層和/或該背面減反射層，該表面減反射層和/或該背面減反射層為氮化硅薄膜。