[發(fā)明專利]用于在CMP加工中實(shí)時(shí)差錯(cuò)檢測(cè)的裝置和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110396554.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102956521A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃正吉;李柏毅;楊棋銘;林進(jìn)祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/321 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 cmp 加工 實(shí)時(shí) 差錯(cuò) 檢測(cè) 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于在CMP加工中實(shí)時(shí)差錯(cuò)檢測(cè)的裝置和方法。
背景技術(shù)
化學(xué)機(jī)械拋光(“CMP”)常用于當(dāng)前先進(jìn)的半導(dǎo)體加工。在CMP中,旋轉(zhuǎn)焊盤接收研磨劑(abrasive?slurry)。將焊盤安裝在壓板上,并且通常取向?yàn)槊娉喜贾谩>A載具沿著焊盤向下移動(dòng)。晶圓載具可以繞著中心軸旋轉(zhuǎn),并可以擺動(dòng)。可以使用真空或靜電力在載具上安裝半導(dǎo)體晶圓。設(shè)置晶圓載具以使半導(dǎo)體晶圓的面接觸拋光墊和漿料。晶圓和載具在拋光工藝期間還可以旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)。例如,晶圓可以具有需要平坦化的介電層。在其他工藝步驟中,例如,對(duì)于鑲嵌金屬制造,可以使用CMP去除多余的金屬并平坦化鍍金屬導(dǎo)體的上表面和周圍的電介質(zhì),以在介電層內(nèi)形成嵌入的金屬導(dǎo)體。通過研磨拋光半導(dǎo)體晶圓的表面,可以去除層中的表面粗糙以平坦化層。同樣也可以去除多余的材料。
在表面的CMP加工期間,有時(shí)會(huì)產(chǎn)生顆粒。如果硬顆粒陷在晶圓和CMP拋光墊之間的晶圓表面上,能夠發(fā)生晶圓擦傷(scratching)。擦傷可以導(dǎo)致在晶圓上制造的集成電路器件缺陷,并導(dǎo)致這些器件的損失。晶圓擦傷經(jīng)常檢測(cè)不出來,直到晶圓加工進(jìn)入后期階段,在后期階段中進(jìn)行一些掃描或者目檢。在實(shí)施更多的加工步驟之后可能進(jìn)行擦傷檢測(cè)。目前沒有用于檢測(cè)在CMP工藝期間出現(xiàn)的晶圓擦傷的機(jī)構(gòu)(mechanism)。這導(dǎo)致很多步驟的浪費(fèi)以及材料和時(shí)間的損失。
因此,仍然需要用于檢測(cè)CMP工藝中的晶圓擦傷問題或者其他差錯(cuò)的方法和裝置,該方法和裝置沒有使用現(xiàn)有方法時(shí)所遭遇的不足之處。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種方法,包括:在用于化學(xué)機(jī)械拋光(“CMP”)的工具中的晶圓載具上設(shè)置半導(dǎo)體晶圓;放置所述晶圓載具以使所述半導(dǎo)體晶圓的表面接觸在旋轉(zhuǎn)壓板上安裝的拋光墊;在旋轉(zhuǎn)拋光墊上分配研磨劑,同時(shí)保持所述半導(dǎo)體晶圓的所述表面與所述拋光墊接觸,以在所述半導(dǎo)體晶圓上實(shí)施CMP工藝;實(shí)時(shí)從所述CMP工具接收信號(hào)至信號(hào)分析器中,所述信號(hào)對(duì)應(yīng)于感應(yīng)基本上由振動(dòng)、聲音、溫度、和壓力組成的組中選出的一種;比較來自所述CMP工具的接收信號(hào)和利用所述CMP工具進(jìn)行正常加工時(shí)的預(yù)期接收信號(hào);以及輸出比較的結(jié)果。
在上述方法中,進(jìn)一步包括:基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài)。
在上述方法中,其中,輸出比較的結(jié)果包括輸出用于操作者檢查的人可讀視覺顯示。
在上述方法中,其中,輸出比較的結(jié)果包括對(duì)所述接收信號(hào)實(shí)施頻域變換,以及輸出用于操作者檢查的所述頻域變換的人可讀視覺顯示。
在上述方法中,進(jìn)一步包括基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài),其中,接收信號(hào)進(jìn)一步包括從至少一個(gè)振動(dòng)傳感器接收信號(hào)。
在上述方法中,進(jìn)一步包括基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài),其中,接收信號(hào)進(jìn)一步包括從至少一個(gè)振動(dòng)傳感器接收信號(hào),其中,接收信號(hào)進(jìn)一步包括從連接于所述旋轉(zhuǎn)壓板的振動(dòng)傳感器接收信號(hào)。
在上述方法中,進(jìn)一步包括基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài),其中,接收信號(hào)進(jìn)一步包括從至少一個(gè)振動(dòng)傳感器接收信號(hào),其中,接收信號(hào)進(jìn)一步包括從安裝于所述晶圓載具上的振動(dòng)傳感器接收信號(hào)。
在上述方法中,進(jìn)一步包括基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài),并且上述方法進(jìn)一步包括:對(duì)所述接收信號(hào)實(shí)施頻域變換;比較所述接收信號(hào)的頻域變換和正常加工時(shí)的預(yù)期接收信號(hào)的存儲(chǔ)頻域變換;以及基于頻域信號(hào)的比較,當(dāng)所述接收信號(hào)與所述預(yù)期接收信號(hào)相差的量超過預(yù)定閾值時(shí),進(jìn)行指示。
在上述方法中,進(jìn)一步包括基于所述比較,當(dāng)所述接收信號(hào)和所述預(yù)期信號(hào)之間的差超過預(yù)定閾值時(shí),指示警報(bào)狀態(tài),上述方法進(jìn)一步包括基于所述比較停止所述CMP工藝。
在上述方法中,其中,當(dāng)硬顆粒在所述CMP工具中引起異常振動(dòng)時(shí),從至少一個(gè)振動(dòng)傳感器接收所述接收信號(hào)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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