[發明專利]一種可配置的接收信號強度指示電路

有效

• 申請號: 201110396486.1
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102497216A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 武振宇;張海英
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H04B1/16
• 分類號: H04B1/16;H04B17/00
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種可配置的接收信號強度指示電路，其特征在于，包括減法器、限幅放大器鏈、全波整流器、輸出緩沖器以及直流失調提取電路；所述直流失調提取電路用于提取直流失調電壓；

所述減法器用于將輸入的中頻信號和直流失調電壓相減，并將得到的信號分別輸出至所述限幅放大器鏈和全波整流器；

所述限幅放大器鏈中的每一個限幅放大器的輸出信號均輸入全波整流器；

所述限幅放大器鏈的輸出信號分別輸入所述直流失調提取電路和輸出緩沖器；

所述輸出緩沖器輸出中頻信號，所述全波整流器輸出接收信號強度指示信號。

2.如權利要求1所述的接收信號強度指示電路，其特征在于，所述減法器包括NMOS晶體管（M₁、M₂、M₅-M₈、M_o1、M_o2）和PMOS晶體管（M₃、M₄）；

電源電壓接PMOS晶體管（M₃）和PMOS晶體管（M₄）的源極，PMOS晶體管（M₃）和PMOS晶體管（M₄）的柵極接偏置電壓（V_bp），PMOS晶體管（M₃）的漏極與NMOS晶體管（M₁）的漏極連接，PMOS晶體管（M₄）的漏極與NMOS晶體管（M₂）的漏極連接，NMOS晶體管（M₁）和NMOS晶體管（M₂）的源極接NMOS晶體管（M₇）的漏極，NMOS晶體管（M₇）的源極接地，NMOS晶體管（M₇）和NMOS晶體管（M₈）的柵極接偏置電壓（V_bn），NMOS晶體管（M₈）的源極接地，NMOS晶體管（M_o1）和NMOS晶體管（M_o2）的源極接NMOS晶體管（M₈）的漏極，NMOS晶體管（M_o1）的漏極接NMOS晶體管（M₅）的漏極，NMOS晶體管（M₅）的漏極和柵極連接，NMOS晶體管（M_o2）的漏極接NMOS晶體管（M₆）的漏極，NMOS晶體管（M₆）的漏極和柵極連接；

NMOS晶體管（M₁）和NMOS晶體管（M₂）的柵極作為中頻信號的輸入端，NMOS晶體管（M_o1）和NMOS晶體管（M_o2）的柵極作為直流失調電壓的輸入端，NMOS晶體管（M₁）和NMOS晶體管（M₂）的漏極作為減法器的輸出端。