[發(fā)明專(zhuān)利]像素結(jié)構(gòu)、主動(dòng)元件陣列基板以及平面顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110396107.9
• 申請(qǐng)日: 2011-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102402087A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏全生;江明道;林昱廷;陳茂松;黃偉明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/167
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;王穎

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)以及具有此像素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)元件陣列基板以及平面顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示科技的日益進(jìn)步，人們借著顯示器的輔助可使生活更加便利，為求顯示器輕、薄的特性，促使平面顯示器(flat?panel?display，F(xiàn)PD)成為目前的主流。一般而言，平面顯示器中的像素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)元件與像素電極，其中主動(dòng)元件用來(lái)作為顯示單元的開(kāi)關(guān)元件。而為了控制特定的像素結(jié)構(gòu)，通常會(huì)經(jīng)對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線來(lái)選取特定的像素，并通過(guò)提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對(duì)應(yīng)此像素的顯示數(shù)據(jù)。另外，像素結(jié)構(gòu)中還包括儲(chǔ)存電容器來(lái)儲(chǔ)存上述所施加的操作電壓，使得像素結(jié)構(gòu)具有電壓保持的功能，以維持顯示畫(huà)面的穩(wěn)定性。

由于平面顯示器在高壓操作下，其元件漏電流的問(wèn)題越顯嚴(yán)重，因此為了減少漏電流的發(fā)生，一般會(huì)采用兩個(gè)薄膜晶體管串聯(lián)來(lái)減少漏電流。

圖1顯示公知一種像素結(jié)構(gòu)采用兩個(gè)薄膜晶體管串聯(lián)的電路示意圖。公知的像素結(jié)構(gòu)P包括一第一薄膜晶體管TFT1、一第二薄膜晶體管TFT2、一儲(chǔ)存電容Cst以及一顯示電容比如是電泳顯示電容或是液晶電容C_LC，其中第一薄膜晶體管TFT1與第二薄膜晶體管TFT2彼此串接，第一薄膜晶體管TFT1與第二薄膜晶體管TFT2的柵極與同一條掃描線SL電性連接，第一薄膜晶體管TFT1與數(shù)據(jù)線DL電性連接。此外，第二薄膜晶體管TFT2與儲(chǔ)存電容Cst以及液晶電容C_LC電性連接。

由于平面顯示器在高壓操作下，其元件漏電流的問(wèn)題越顯嚴(yán)重，因此為了減少漏電流的發(fā)生，一般會(huì)采用加大像素結(jié)構(gòu)中共通電極的布局面積，以增加儲(chǔ)存電容(Cst)。然而，為了維持像素結(jié)構(gòu)P的電性表現(xiàn)(如降低漏電流的產(chǎn)生及提高導(dǎo)通電流)，必須采用兩個(gè)薄膜晶體管串聯(lián)的布局設(shè)計(jì)，增加的薄膜晶體管將減少儲(chǔ)存電容(Cst)的可用面積，而無(wú)法提升儲(chǔ)存電容(Cst)。另一方面，若是為了增加儲(chǔ)存電容(Cst)而減小第一薄膜晶體管TFT1及第二薄膜晶體管TFT2的布局面積并提高共通電極的布局面積，將會(huì)影響到元件的電性。例如，柵極跟源極與漏極之間的工藝偏移造成寄生電容值(parasiticcapacitance)的改變，造成顯示畫(huà)面閃爍。因此，如何提高儲(chǔ)存電容(Cst)的布局面積，以及維持元件的良好特性表現(xiàn)，為急需解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)以及具有此像素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)元件陣列基板以及平面顯示面板，可以兼顧儲(chǔ)存電容(Cst)及維持元件的良好特性表現(xiàn)，并能夠改善畫(huà)面顯示品質(zhì)。

本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，適于與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。像素結(jié)構(gòu)包括像素電極以及主動(dòng)元件。主動(dòng)元件包括柵極、通道層、源極、漏極、連接電極、第一分支部以及第二分支部。柵極與掃描線電性連接。通道層位于柵極的一側(cè)，且與柵極電性絕緣。源極與數(shù)據(jù)線電性連接。漏極與像素電極電性連接。源極、漏極與連接電極配置于通道層的部分區(qū)域上，連接電極位于源極與漏極之間。第一分支部配置于通道層的部分區(qū)域并與連接電極的一端連接，第一分支部環(huán)繞位于通道層上的源極。第二分支部配置于通道層的部分區(qū)域并與連接電極的另一端連接，且第二分支部環(huán)繞位于通道層上的漏極。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的像素電極包括反射電極、穿透電極或半穿透半反射電極。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，更包括柵極介電層，位于柵極與通道層之間。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的通道層包括第一通道圖案層與第二通道圖案層，源極、連接電極與第一分支部分別配置于第一通道圖案層的部分區(qū)域上，而漏極、連接電極與第二分支部分別配置于第二通道圖案層的部分區(qū)域上。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的柵極、第一通道圖案層、源極、連接電極與第一分支部構(gòu)成第一晶體管，柵極、第二通道圖案層、漏極、連接電極與第二分支部構(gòu)成第二晶體管。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的連接電極與第一分支部構(gòu)成U形圖案。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的連接電極與第二分支部構(gòu)成U形圖案。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的連接電極、第一分支部與第二分支部構(gòu)成S形圖案。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的連接電極、第一分支部與第二分支部構(gòu)成X形圖案。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的源極、漏極與連接電極的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上一致。

依照本發(fā)明實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)，上述的源極、漏極與連接電極的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于掃描線的方向。