[發明專利]用于分區清洗鋸切的晶圓的保持/清洗裝置及方法無效
| 申請號: | 201110396101.1 | 申請日: | 2011-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN102543796A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 羅蘭·蒂昌特-瓦格納 | 申請(專利權)人: | 睿納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 德國居*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 分區 清洗 保持 裝置 方法 | ||
1.用于保持將被鋸切的襯底塊(13A、13B)和用于沖洗通過鋸切所述襯底塊(13A、13B)形成的中間空間的裝置,所述裝置具有與所述裝置縱軸(L)平行地布置且彼此疊置的兩個區域,上區域被配置成接裝區域(1),所述裝置能夠通過所述接裝區域(1)連接至機械儀器,下區域形成為保持區域(2),所述保持區域(2)包括四周封閉或可封閉的通道系統,所述通道系統能夠通過可封閉的供應口(5)被供給清洗液,在所述襯底塊(13A、13B)的鋸切期間所述通道系統的底部以槽型方式開放以提供用于所述沖洗液的通道口(15)。
2.如權利要求1所述的裝置,其中,所述通道系統包括沿所述裝置縱軸(L)的多個部分(11A、11B),所述多個部分(11A、11B)能夠彼此獨立地被供給沖洗液。
3.如權利要求2所述的裝置,其中,部分(10A、10B)由多個結構分離的通道形成,所述多個結構分離的通道能夠彼此獨立地進行供應。
4.如權利要求2所述的裝置,其中,部分(10A、10B)通過可移動地安裝在所述通道系統中的阻液隔離物(12)形成。
5.如權利要求1-4中任一項所述的裝置,其中,所述可封閉的供應口(5)布置在所述接裝區域(1)的上平整側(6)。
6.如權利要求1-4中任一項所述的裝置,其中,所述可封閉的供應口(5)布置在所述接裝區域(1)的四周側(7A、7B、8A、8B)
7.如上述權利要求中任一項所述的權利要求,其中,所述保持區域(2)布置在保持板(4)上,所述接裝區域(1)布置在接裝板(3)上,這兩個板(3、4)可釋放地彼此連接。
8.如上述權利要求中任一項所述的權利要求,其中,所述保持區域(2)的材料選自玻璃、塑料、環氧化物、陶瓷、金屬和其混合物。
9.用于對通過使用權利要求1-8中任一項所述的裝置鋸切襯底塊(13A、13B)而形成的中間空間進行沖洗的方法,其中,將沖洗液應用到所述通道系統并且使所述沖洗液經由所述通道口(15)從所述通道系統排出。
10.用于對通過使用裝置鋸切襯底塊(13A、13B)而形成的中間空間進行沖洗的方法,所述裝置具有與所述裝置縱軸(L)平行地布置且彼此疊置的兩個區域,上區域被配置成接裝區域(1),所述裝置能夠通過所述接裝區域(1)連接至機械儀器,四周封閉的通道系統布置在下區域中,所述方法包括如下步驟:
通過布置在所述上區域中的可封閉的供應口(5),將沖洗液供應給所述通道系統;
通過槽型通道口(15)沖洗所述中間空間,所述通道口(15)已經在鋸切所述襯底塊(13A、13B)時形成于所述通道系統的底部。
11.如權利要求9或10所述的方法,其中,沿所述裝置縱軸(L)經由被供給有沖洗液的所述通道口(15)均勻地進行所述沖洗。
12.如權利要求9到11中任一項所述的方法,其中,如在所述裝置縱軸(L)中所看到的,分區地進行所述通道系統的供應和通過所述通道口(15)的所述沖洗。
13.如權利要求9-12中任一項所述的方法,其中,在晶圓鋸的工作區域進行所述沖洗。
14.如權利要求13所述的方法,其中,在將所述晶圓鋸的鋸線從所述中間空間抽出期間,進行所述沖洗。
15.如權利要求9-14中任一項所述的方法,其中,在液體中和/或利用超聲輔助,進行所述沖洗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





