[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110395473.2
• 申請日: 2011-12-03
• 公開（公告）號: CN103137812A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱振東;李群慶;張立輝;陳墨;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，其包括：

一基底；

一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層依次層疊設(shè)置于所述基底的一側(cè)，且所述第一半導體層靠近所述基底設(shè)置，所述第一半導體層具有相對的一第一表面和一第二表面，所述第一表面與所述基底相鄰，所述第二表面與活性層相鄰，所述第二半導體層遠離活性層的表面具有一出光面；

一第一電極與所述第一半導體層電連接；

一第二電極與所述第二半導體層電連接；

其特征在于，所述第一半導體層的第二表面為多個三維納米結(jié)構(gòu)以陣列形式排布形成的圖案化的表面，其中每一所述三維納米結(jié)構(gòu)包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱與第二凸棱并排延伸，相鄰的第一凸棱與第二凸棱之間具有一第一凹槽，相鄰的三維納米結(jié)構(gòu)之間形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，所述活性層與所述第一半導體層接觸的表面與所述第一半導體層圖案化的表面相嚙合。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)為條形凸起結(jié)構(gòu)，所述三維納米結(jié)構(gòu)在第一半導體層表面以直線、折線或曲線并排延伸。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)在其延伸方向的橫截面的形狀為M形。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一凸棱及第二凸棱的橫截面分別為錐形，所述第一凸棱與第二凸棱形成一雙峰凸棱結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層表面形成多個凹槽及凸棱，所述凹槽與所述三維納米結(jié)構(gòu)中的第一凸棱及第二凸棱相配合，所述凸棱與第一凹槽及第二凹槽相配合。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一凹槽的深度為30納米～120納米，所述第二凹槽的深度為100納米～200納米。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述多個三維納米結(jié)構(gòu)在第第一半導體層表面按照等間距排布、同心圓環(huán)排布或同心回形排布。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述多個三維納米結(jié)構(gòu)在第一半導體層表面按同一周期或多個周期排布，所述周期范圍為100納米～500納米。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，相鄰三維納米結(jié)構(gòu)之間的間距為0納米～200納米。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述三維納米結(jié)構(gòu)的寬度為100納米～300納米。

11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進一步包括一反射層設(shè)置于所述基底遠離第一半導體層的表面。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層遠離第一半導體層的表面為一平面。

13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層遠離第一半導體層的表面為具有多個三維納米結(jié)構(gòu)以陣列形式排布形成的圖案化的表面。

14.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于，活性層遠離第一半導體層表面的三維納米結(jié)構(gòu)與第一半導體層第二表面的三維納米結(jié)構(gòu)相一致且對應(yīng)設(shè)置。

15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二半導體層與所述活性層接觸的表面與所述活性層遠離第一半導體層圖案化的表面相嚙合。

16.一種發(fā)光二極管，其包括：一第一半導體層、一活性層及一第二半導體層依次層疊設(shè)置于一基底表面，所述第一半導體層與所述基底接觸設(shè)置，所述第二半導體層靠近所述發(fā)光二極管的出光面設(shè)置，一第一電極與所述第一半導體層電連接，一第二電極與所述第二半導體層電連接，其特征在于，所述第一半導體層與活性層接觸的表面為多個三維納米結(jié)構(gòu)并排延伸形成的圖案化的表面，每個三維納米結(jié)構(gòu)沿延伸方向的橫截面為M形，所述活性層與所述第一半導體層接觸的表面與所述第一半導體層圖案化的表面相嚙合。

17.一種發(fā)光二極管，其包括：

一基底；

一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層依次層疊設(shè)置于所述基底的一側(cè)，且所述第一半導體層靠近所述基底設(shè)置，所述第二半導體層遠離活性層的表面具有一出光面；

一第一電極與所述第一半導體層電連接；

一第二電極與所述第二半導體層電連接；

其特征在于，所述第一半導體層與所述活性層接觸的表面形成有三維納米結(jié)構(gòu)。