[發明專利]有機發光二極管

有效

• 申請號: 201110395080.1
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102881833A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 宋基旭;皮性勛
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種有機發光二極管，包括：

第一電極；

在所述第一電極上的第一空穴傳輸層；

在所述第一空穴傳輸層上的第一發光材料層，所述第一發光材料層包括摻雜了第一摻雜劑的第一基質，其中所述第一摻雜劑的最低未占有分子軌道的能級比所述第一基質的最低未占有分子軌道的能級高；

在所述第一發光材料層上的第一電子傳輸層；以及

在所述第一電子傳輸層上的第二電極，

其中所述第一空穴傳輸層和所述第一電子傳輸層中的每一層的能級都比所述第一發光材料層的三重態激子的能級高。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其中所述第一摻雜劑包括熒光摻雜劑。

3.根據權利要求2所述的有機發光二極管，其中所述熒光摻雜劑包括藍熒光摻雜劑。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管，還包括：

在所述第一電子傳輸層上的電荷產生層；

在所述電荷產生層上的第二空穴傳輸層；

在所述第二空穴傳輸層上的第二發光材料層；以及

在所述第二發光材料層上的第二電子傳輸層，

其中所述第二空穴傳輸層和所述第二電子傳輸層中的每一層的能級都比所述第二發光材料層的三重態激子的能級高。

5.根據權利要求4所述的有機發光二極管，其中所述第二發光材料層包括紅摻雜劑和綠摻雜劑。

6.根據權利要求4所述的有機發光二極管，其中所述第二發光材料層包括黃摻雜劑。

7.根據權利要求4所述的有機發光二極管，其中

所述第一空穴傳輸層和所述第一電子傳輸層中的每一層的能級都比所述第一發光材料層的三重態激子的能級高大約0.001eV到大約0.5eV，并且

所述第二空穴傳輸層和所述第二電子傳輸層中的每一層的能級都比所述第二發光材料層的三重態激子的能級高大約0.001eV到大約0.5eV。

8.根據權利要求4所述的有機發光二極管，還包括在所述第二空穴傳輸層和所述第二發光材料層之間的激子阻擋層。

9.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其中所述第一摻雜劑的最低未占有分子軌道的能級比所述第一基質的最低未占有分子軌道的能級高大約0.001eV到大約0.5eV。

10.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層還包括第二摻雜劑，并且

所述第二摻雜劑的最高占有分子軌道的能級比所述第一基質的最高占有分子軌道的能級低。

11.根據權利要求10所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層的鄰近所述第一電子傳輸層的一邊緣部分摻雜了所述第一摻雜劑。

12.根據權利要求11所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層的鄰近所述第一空穴傳輸層的另一邊緣部分摻雜了所述第二摻雜劑。

13.根據權利要求10所述的有機發光二極管，其中

所述第一摻雜劑和所述第二摻雜劑之間的帶隙差小于大約0.1eV。

14.根據權利要求1所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層還包括摻雜了第二摻雜劑的第二基質，并且

所述第二摻雜劑的最高占有分子軌道的能級比所述第二基質的最高占有分子軌道的能級低。

15.根據權利要求14所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層的鄰近所述第一電子傳輸層的一邊緣部分包括所述第一基質，并且摻雜了所述第一摻雜劑。

16.根據權利要求15所述的有機發光二極管，其中

所述第一發光材料層的鄰近所述第一空穴傳輸層的另一邊緣部分包括所述第二基質，并且摻雜了所述第二摻雜劑。

17.根據權利要求14所述的有機發光二極管，其中

所述第一摻雜劑和所述第二摻雜劑之間的帶隙差小于大約0.1eV。