[發(fā)明專利]一種晶圓級陽極鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110395020.X | 申請日： | 2011-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN103130180A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅巍;解婧;張陽;李超波;夏洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | B81C3/00 | 分類號： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人： | 劉麗君 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶圓級 陽極 方法 | ||
1.一種晶圓級陽極鍵合方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)將待鍵合的硅或金屬樣片和玻璃樣片浸泡到清洗液中清洗；
(2)將清洗后的所述硅或金屬樣片和玻璃樣片吹干，放入鍵合裝置中，一邊加熱，一邊抽真空，到達預(yù)設(shè)工作溫度和真空度后，加電壓到單點陰極，使貼合后的硅或金屬樣片和玻璃發(fā)生第一次陽極鍵合；
(3)將所述第一次陽極鍵合后的樣片，放入所述鍵合裝置中，一邊加熱，一邊抽真空，到達預(yù)設(shè)工作溫度和真空度后，加電壓和壓力到平板陰極，使所述第一次鍵合后的樣片中未鍵合部分全部完成鍵合。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級陽極鍵合方法，其特征在于，所述步驟(1)中所述清洗液為H2SO4與H2O2的混合溶液，其中H2SO4的質(zhì)量濃度為98％，H2O2的質(zhì)量濃度為30％，體積比H2SO4∶H2O2＝1-4∶1，所述清洗液的溫度為120-170℃，清洗時間為15-40min。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級陽極鍵合方法，其特征在于，所述步驟(2)中加熱溫度為150-400℃，真空度為0.0001-1000Pa，加至所述單點陰極的電壓為400-1200V，時間為10-30min。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級陽極鍵合方法，其特征在于，所述步驟(3)中加熱溫度為150-400℃，真空度為0.0001-1000Pa，加至所述平板陰極的電壓為400-1200V，壓力為0-20000N，時間為10-30min。
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