[發明專利]ITF電容參數的提取結構和方法

無效

• 申請號: 201110394946.7
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN103258811A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 魏泰;秦曉靜;蔣樂樂;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01R27/26;G06F17/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于raphael仿真和互連線測試結構的無SEM數據的ITF電容參數的提取結構，其特征在于，包括：兩組互連線測試結構；所述兩組互連線測試結構包括三層平行金屬板組成的互連線電容測試結構；以及由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構。

2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述多層平行金屬板電容結構均為帶有slotting的平板結構。

3.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述combmeander測試結構處于每一個待測金屬厚度的層。

4.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述三層平行金屬版組成的互連線電容測試結構和由中間一層combmeander結構與所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構相對應的層在工藝中為同一層的金屬、poly和介質層。

5.一種基于raphael仿真和互連線測試結構的無SEM數據的ITF電容參數的提取方法，其特征在于，包含：制作權利要求1-3所述的互連線測試結構；對所述制作的互連線測試結構施加一定的測試信號并測量電容；用raphael基于介質厚度、金屬厚度的變量仿真出所制作的互連線測試結構的一組電容；將所對應的實測電容和仿真電容進行比較，取誤差最小的變量組為有效值組；驗證所述有效值的準確性。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述測量電容包括5組電容的測量，分別是測量三層平行金屬板中的兩個相鄰平板組成的電容，即Mi~Mi+1層之間的電容，并假定該相鄰兩個金屬板Mi~Mi+1之間有j（j>=1）層介質；測量三層平行金屬板中另一兩個相鄰平板組成的電容，即Mi+1~Mi+2層之間的電容，并假定該相鄰兩個金屬板Mi+1~Mi+2之間有k（k>=1）層介質；測量所述由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構的層間電容，即上層平行金屬板與combmeander結構之間的層間電容與下層平行金屬版與combmeander結構之間的層間電容之和；測量所述由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構的combmeander互連線測試結構的層內電容，所述上層平行金屬版和下層平行金屬板處于floating狀態；測量所述由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構所有層間層內電容。

7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述raphael仿真包括5組raphael的仿真，分別是用raphael描述該所述三層平行金屬板組成的互連線電容測試結構，并假定j層介質的介電常數一定，j層介質的厚度未知，以j層介質中的每層介質的厚度為變量，讓j層中的各層介質的厚度在一定的范圍內變化，并用raphael仿真每一個介質厚度組合的所述三層平行金屬板組成的互連線電容測試結構的電容；用raphael描述該所述三層平行金屬板組成的互連線電容測試結構，并假定k層介質的介電常數一定，k層介質的厚度未知，以k層介質內的每層介質的厚度為變量，讓k層介質內的各層介質的厚度在一定的范圍內變化，并用raphael仿真每一個介質厚度組合的所述三層平行金屬板組成的互連線電容測試結構的電容；用raphael仿真由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構，并以combmeander層的金屬寬度為變量，在一定的范圍內逐漸變化該層金屬的寬度，得到一組由所述combmeander和上層金屬以及下層金屬組成的層間電容；用raphael仿真由中間一層combmeander結構和所述combmeander結構上下各一層平行金屬板組成的互連線電容測試結構，并以combmeander結構的金屬厚度、combmeander結構層內每層介質的厚度為變量，在一定的范圍內逐漸變化所述combmeander結構的金屬的厚度、combmeander所在層的層內每層介質的厚度，并基于所述厚度變量，用raphael仿真每一個變量所對應的測試結構的層間電容。