[發明專利]一種金剛石線切割高效低成本太陽電池的生產方法有效
| 申請號: | 201110394873.1 | 申請日: | 2011-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN102496651A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發明(設計)人: | 李海亮;石勁超 | 申請(專利權)人: | 百力達太陽能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若瑩;柏子雵 |
| 地址: | 314512 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金剛石 切割 高效 低成本 太陽電池 生產 方法 | ||
1.一種金剛石線切割高效低成本太陽電池的生產方法,其特征在于,步驟為:
步驟1、進行插片:插片時,首先觀察硅片的線痕位置,然后按照線痕豎直于花籃進行機器插片或手工插片;
步驟2、制絨:制絨時,腐蝕液的質量百分配比為1.5-1.8%的氫氧化鈉、3-4%的異丙醇、0.15-0.35%的制絨添加劑以及余量的去離子水,反應時間為10-20分鐘,反應溫度為80-82攝氏度,控制硅片的減薄量為0.3-0.5克;
步驟3、擴散時,保持硅片在石英舟中的位置和在花籃中的位置相同,擴散結束后下片時必須保持硅片和在石英舟上的位置方向的一致性,在承載盒的一邊標上特殊記號,使得該條邊能夠與其他邊區別開來,將硅片放入承載盒中時,使石英舟上的硅片的上部分朝向承載盒上有特殊記號的一邊所在方向,不可混亂;
步驟4、干法刻蝕時,使得硅片在支架上的位置保持固定,刻完后將硅片重新放入承載盒中時,使得硅片的方向和擴散后放入承載盒時的方向相同;
步驟5、二次清洗時,硅片在花籃中的方向為:硅片朝向承載盒上特殊記號的部分豎直向上;
步驟6、若使用平板式等離子增強化學氣相沉積法下片的,承載盒在放置時必須使有特殊記號所在的邊緣與花籃上片時硅片的運行方向垂直;若使用管式等離子增強化學氣相沉積法下片的,上片時必須保持硅片在石墨舟和花籃中保持相同的豎直方向,下片時,使石墨舟中豎直的硅片的上邊緣靠近承載盒有特殊標記的一邊;
步驟7、將PECVD后的硅片連同承載盒放入印刷機上料臺時,保持承載盒有特殊標記的一邊和印刷流水線垂直,印刷后經過燒結得到低成本高性能的太陽能電池片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





