[發明專利]一種長換液周期和低濃度腐蝕的制絨方法

無效

• 申請號: 201110394864.2
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN102492996A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 鄭飛;石勁超
• 申請（專利權）人: 百力達太陽能股份有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩;柏子雵

1.一種長換液周期和低濃度腐蝕的制絨方法，其特征在于，步驟為：

步驟1、在預清洗槽內加入去離子水，并將其加熱至68-75℃，之后，均勻添加氫氧化鈉和過氧化氫，使得氫氧化鈉的質量百分比濃度達到0.24-0.32%，過氧化氫的體積百分比濃度達到2-5%,將當前批次的硅片放入預清洗槽內進行預清洗，

步驟2、將預清洗后的硅片放入盛有制絨液的制絨槽中制絨，其中，制溶液的液位沒過硅片高度4-6厘米，在制絨槽上制絨液的液位處加開有溢流口，溢流口有氣動開關閥門，此時氣動開關閥門關閉，制絨液的質量百分配比為0.8-1.2%的氫氧化鈉、0.2-0.3%的制絨添加劑、3-4%的異丙醇以及余量的去離子水，每批硅片的制絨時間控制在10-30分鐘；

步驟3、當前批次的硅片制絨完成后，取出該批次硅片，在取出硅片的同時，步驟2中所述氣動開關閥門開啟，使得溢流口打開，由噴淋裝置對硅片進行噴水清洗，噴淋多出的水由溢流口排出，排出后氣動開關閥門關閉，隨后手動添加質量百分濃度為0.25%的氫氧化鈉、質量百分濃度為0.3%的制絨添加劑以及質量百分濃度為0.4%的異丙醇，返回步驟2進行下一批次的硅片制絨，如此循環。