[發(fā)明專利]像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110393987.4
• 申請(qǐng)日: 2011-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102708790A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚文;祁小敬;吳博;高永益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛(ài)軍

1.一種像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)OLED，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、第一開(kāi)關(guān)元件、存儲(chǔ)電容和驅(qū)動(dòng)控制單元；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，所述存儲(chǔ)電容的第二端與驅(qū)動(dòng)電源的高電平輸出端連接，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)元件與所述OLED的陰極連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極還通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制單元與數(shù)據(jù)線連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極還通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制單元分別與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)控制單元與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；

所述驅(qū)動(dòng)控制單元，用于通過(guò)控制所述存儲(chǔ)電容充放電，以控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)而所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償Vth，其中，Vth為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是p型薄膜晶體管。

3.如權(quán)利要求2所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)元件是p型薄膜晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)元件，柵極與第一控制線連接，源極與所述OLED的陰極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接。

4.如權(quán)利要求3所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)控制單元包括第二開(kāi)關(guān)元件、第三開(kāi)關(guān)元件和第四開(kāi)關(guān)元件；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端之間連接有所述第二開(kāi)關(guān)元件；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和數(shù)據(jù)線之間連接有所述第三開(kāi)關(guān)元件；所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極之間連接有所述第四開(kāi)關(guān)元件。

5.如權(quán)利要求4所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)元件、所述第三開(kāi)關(guān)元件和所述第四開(kāi)關(guān)元件為p型TFT；

所述第二開(kāi)關(guān)元件，柵極與第二控制線連接，源極與所述薄膜晶體管的漏極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端連接；

所述第三開(kāi)關(guān)元件，柵極與用于輸出控制信號(hào)的掃描線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極連接；

所述第四開(kāi)關(guān)元件，柵極與所述掃描線連接，源極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極連接，漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接。

6.一種像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其應(yīng)用于如權(quán)利要求1所述的像素單元驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素單元驅(qū)動(dòng)方法包括：

像素充電步驟：驅(qū)動(dòng)控制單元控制存儲(chǔ)電容被充電；

像素放電步驟：所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth；

驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟：所述驅(qū)動(dòng)控制單元控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并控制所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓差值不變，以使得所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。

7.如權(quán)利要求6所述的像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，

所述像素充電步驟包括：第一開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線的連接，導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，控制所述存儲(chǔ)電容被充電；

所述像素放電步驟包括：所述第一開(kāi)關(guān)元件斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，控制所述存儲(chǔ)電容通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管放電，直至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓為所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth；

所述驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光顯示步驟包括：所述第一開(kāi)關(guān)元件導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與所述OLED的陰極的連接；所述驅(qū)動(dòng)控制單元導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)電源的低電平輸出端的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線的連接，斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，控制所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工作于飽和區(qū)，并所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵源電壓補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓Vth，通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED發(fā)光。