[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示設備及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110393833.5 | 申請日: | 2011-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102593147A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 辛惠真;郭源奎 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示設備,包括:
第一至第三子像素,各包括至少一個電容器、有機發(fā)光器件和至少一個薄膜晶體管;
第一至第三開關器件,包括公共源電極和公共漏電極中的一個,所述第一至第三開關器件電連接至所述第一至第三子像素,以在所述第一至第三開關器件被導通時分別向所述第一至第三子像素施加初始化電壓;
布置在所述第一至第三開關器件上的平坦化層;
通孔,布置通過所述平坦化層以暴露所述公共源電極和公共漏電極中的一個;以及
初始化電極,通過所述通孔電連接至所述公共源電極和公共漏電極中的一個,所述初始化電極用于向所述公共源電極和公共漏電極中的一個傳輸所述初始化電壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,所述有機發(fā)光顯示設備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個通孔組成。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中每個有機發(fā)光器件包括:
像素電極;
對電極;和
布置在所述像素電極與所述對電極之間的有機層。
4.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述初始化電極由與所述像素電極相同的材料組成,并且布置在與所述像素電極相同的層上。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述第一開關器件包括用于形成溝道的第一有源層、與所述第一有源層絕緣的第一柵電極、電連接至所述第一有源層的第一源電極、以及第一漏電極;其中所述第二開關器件包括用于形成溝道的第二有源層、與所述第二有源層絕緣的第二柵電極、電連接至所述第二有源層的第二源電極、以及第二漏電極;其中所述第三開關器件包括用于形成溝道的第三有源層、與所述第三有源層絕緣的第三柵電極、電連接至所述第三有源層的第三源電極、以及第三漏電極;并且其中所述第一至第三源電極共同構成所述公共源電極。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述第一至第三有源層連接在一起。
7.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述第一至第三柵電極連接在一起。
8.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示設備,進一步包括:
布置在所述第一至第三有源層和所述第一至第三柵電極之間的柵絕緣層;
布置在所述第一至第三柵電極上的絕緣層間層;以及
布置在所述柵絕緣層和所述絕緣層間層中以將所述公共源電極電連接至所述第一至第三有源層的公共接觸孔。
9.根據(jù)權利要求8所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述有機發(fā)光顯示設備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個公共接觸孔組成。
10.根據(jù)權利要求8所述的有機發(fā)光顯示設備,其中所述公共接觸孔被布置為接近所述通孔。
11.一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法,所述方法包括:
限定第一至第三子像素,所述第一至第三子像素各包括至少一個電容器、有機發(fā)光器件和至少一個薄膜晶體管;
形成分別電連接至所述第一至第三子像素的第一至第三開關器件,所述第一至第三開關器件包括公共形成的漏電極和公共形成的源電極中的一個,所述第一至第三開關器件用于在所述第一至第三開關器件被導通時向所述第一至第三子像素施加初始化電壓;
在所述第一至第三開關器件上形成平坦化層;
形成通過所述平坦化層的通孔,以暴露所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個;并且
形成經(jīng)由所述通孔電連接至所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個的初始化電極,以向所述公共形成的漏電極或公共形成的源電極中的一個傳輸所述初始化電壓。
12.根據(jù)權利要求11所述的制造有機發(fā)光顯示設備的方法,所述有機發(fā)光顯示設備由用于所述第一至第三子像素的僅僅一個通孔組成。
13.根據(jù)權利要求11所述的制造有機發(fā)光顯示設備的方法,其中每個有機發(fā)光器件包括:
像素電極;
對電極;和
布置在所述像素電極與所述對電極之間的有機層。
14.根據(jù)權利要求13所述的制造有機發(fā)光顯示設備的方法,其中所述初始化電極由與所述像素電極相同的材料組成,并且布置在與所述像素電極相同的層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





