[發明專利]外延晶片無效
| 申請號： | 201110393534.1 | 申請日： | 2008-10-06 |
| 公開（公告）號： | CN102437265A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 中西文毅;三浦祥紀 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 韓峰;孫志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 晶片 | ||
【權利要求書】：
1.一種外延晶片(20，30)，該外延晶片(20，30)包括GaN襯底(10，31)，形成在所述GaN襯底(10，31)的c面上的AlxGa(1-x)N層(21，34)和形成在所述AlxGa(1-x)N層(21，34)上的GaN層(22，35)，其中：
所述GaN襯底(10，31)的厚度小于250μm，以及
所述外延晶片(20，30)的翹曲不大于100μm。
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