[發(fā)明專利]介電組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110392847.5
• 申請(qǐng)日: 2011-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN102487125B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳貽良;Y·王;柳平;胡南星;A·維格勒斯沃斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 施樂公司
• 主分類號(hào): H01L51/40
• 分類號(hào): H01L51/40;H01L51/30;H01L51/10;H01L51/05
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371
• 代理人: 李丙林,曹桓

1.一種改進(jìn)電子器件的成品率或降低介電層的針孔密度和表面粗糙度的方法，其包括：

沉積介電組合物于襯底上，所述介電組合物包括介電材料和低表面張力添加劑；

任選地加熱該介電組合物，從而在所述襯底上形成介電層；

其中所述低表面張力添加劑的存在量為所述介電材料的1.0至3.0wt％，其中所述低表面張力添加劑選自改性聚硅氧烷、碳氟改性聚合物、小分子碳氟化合物、聚合碳氟化合物和丙烯酸酯共聚物。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述改性聚硅氧烷是聚醚改性的丙烯酸官能聚硅氧烷、聚醚-聚酯改性的羥基官能聚硅氧烷或聚丙烯酸酯改性的羥基官能聚硅氧烷。

3.權(quán)利要求1的方法，其中所述介電組合物還包括交聯(lián)劑。

4.權(quán)利要求1的方法，其中所述介電材料包括k較低的介電材料和k較高的介電材料。

5.權(quán)利要求4的方法，其中所述k較低的介電材料選自聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅倍半氧烷、聚亞苯基、聚(1,3-丁二烯)、聚(α-乙烯基萘)、聚丙烯、聚異戊二烯、聚異丁烯、聚乙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(對(duì)二甲苯)、聚(甲基丙烯酸環(huán)己酯)、聚(丙基異丁烯酰基POSS-共-甲基丙烯酸甲酯)、聚(丙基異丁烯酰基POSS-共-苯乙烯)、聚(苯乙烯基POSS-共-苯乙烯)和聚(肉桂酸乙烯酯)；且

所述k較高的介電材料選自聚酰亞胺、聚酯、聚醚、聚乙烯基化合物、聚酮、聚砜和玻璃分子化合物。

6.權(quán)利要求5的方法，其中所述k較高的介電材料為聚丙烯酸酯。

7.權(quán)利要求1的方法，其中所述介電組合物還包括熱產(chǎn)酸劑或光產(chǎn)酸劑。

8.權(quán)利要求1的方法，其中電子器件包括介電層；其中該介電層的厚度小于1000nm；且其中該介電層包括介電材料和低表面張力添加劑，該添加劑的存在量為所述介電材料的1.0至3.0wt％。

9.介電組合物的用途，用于改進(jìn)電子器件的成品率或降低介電層的針孔密度和表面粗糙度，所述介電組合物包括介電材料和低表面張力添加劑，其中所述添加劑降低由所述介電材料形成的介電層的針孔密度和表面粗糙度，且其中所述低表面張力添加劑的存在量為所述介電材料的1.0至3.0wt％，其中所述低表面張力添加劑選自改性聚硅氧烷、碳氟改性聚合物、小分子碳氟化合物、聚合碳氟化合物和丙烯酸酯共聚物。