[發(fā)明專利]一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110392729.4
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN103137628A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔祥永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海中航光電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的液晶顯示裝置一般包括：TFT(薄膜晶體管)陣列基板、液晶層和CF(彩色濾光膜)陣列基板。其中，在TFT陣列基板結(jié)構(gòu)中，為了實(shí)現(xiàn)基板的平坦化及提高基板的透過率，一般采用有機(jī)絕緣膜作為鈍化層，之后在所述鈍化層上形成像素電極。

常見的像素電極有p-ITO(多晶氧化銦錫)和a-ITO(非晶氧化銦錫)，其中，前者是在高溫條件下形成，后者通常在常溫條件下形成。當(dāng)所述像素電極為p-ITO時(shí)，所述p-ITO與有機(jī)絕緣膜之間的表面接觸特性較差，從而使得后續(xù)刻蝕工藝(通過刻蝕工藝后方形成像素電極)較難控制，刻蝕條件以及藥液的選擇均較難，最終容易出現(xiàn)過刻現(xiàn)象或刻蝕不足而殘留多晶氧化銦錫的現(xiàn)象。當(dāng)所述像素電極為a-ITO時(shí)，一般采用草酸做為刻蝕藥液，刻蝕工藝容易控制，但是，由于a-ITO在常溫條件下形成，因此所形成的a-ITO相對(duì)較疏松，成膜缺陷較多，其內(nèi)較容易侵入水分和空氣，從而使得a-ITO所覆蓋的端子易被腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，以解決多晶氧化銦錫與有機(jī)絕緣膜之間表面接觸特性差，進(jìn)而導(dǎo)致刻蝕工藝難以控制的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括：

玻璃基板；

依次位于所述玻璃基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層；

位于所述歐姆接觸層上的源極和漏極；

位于所述源極和漏極上的有機(jī)絕緣膜；

位于所述有機(jī)絕緣層上的上無機(jī)絕緣膜；

位于所述上無機(jī)絕緣膜上的p-ITO像素電極，所述p-ITO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜及有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。

優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板還包括：

位于所述源極和漏極上的下無機(jī)絕緣膜；

且所述有機(jī)絕緣膜位于所述下無機(jī)絕緣膜之上，所述p-ITO像素電極通過所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜及下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔與所述漏極相連。

優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板中，所述有機(jī)絕緣膜包括光敏有機(jī)絕緣膜或非光敏有機(jī)絕緣膜。

優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板中，所述上無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

優(yōu)選的，上述薄膜晶體管陣列基板中，所述上無機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜的厚度均為

本發(fā)明還提供了一種用于顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括：

提供玻璃基板；

在所述玻璃基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層和歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極；

在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜；

在所述有機(jī)絕緣膜上形成上無機(jī)絕緣膜；

在所述上無機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜內(nèi)形成與漏極相連的通孔；

在所述上無機(jī)絕緣膜上形成p-ITO像素電極，所述p-ITO像素電極覆蓋所述通孔的底部及側(cè)壁。

優(yōu)選的，上述方法中，在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極之后，在所述源極和漏極上形成有機(jī)絕緣膜之前，還包括：

在所述源極和漏極上形成下無機(jī)絕緣膜；

且所述通孔貫穿所述下無機(jī)絕緣膜。

優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜采用化學(xué)氣相沉積工藝制成，且工藝溫度為220℃～250℃。

優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑均相等；或者，所述有機(jī)絕緣膜和下無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑相等，所述上無機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑小于所述有機(jī)絕緣膜內(nèi)的通孔的孔徑。

優(yōu)選的，上述方法中，所述上無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下無機(jī)絕緣膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。