[發明專利]整流電路及RFID芯片

有效

• 申請號: 201110392379.1
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN103138568A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 李玲;李鴻雁
• 申請（專利權）人: 國民技術股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種整流電路,其特征在于,包括N級子級整流電路，N為自然數，第i級子級整流電路包括第一傳輸管、第二傳輸管、偏置電路、第一電容和第二電容，i=1，2，……N，所述偏置電路用于為所述第一傳輸管和所述第二傳輸管提供偏置電壓，其中：

所述第一傳輸管的輸入端與所述偏置電路的第一輸入端相連并共同接第i級子級整流電路的輸入端，也即第i-1級子級整流電路的輸出端，所述第一傳輸管的輸出端接所述第二傳輸管的輸入端；

所述第二傳輸管的輸出端與所述偏置電路的第二輸入端相連并共同接該第i級子級整流電路的輸出端；

所述偏置電路的第三輸入端接輸入射頻信號ANTP，第一輸出端接所述第一傳輸管的控制端，第二輸出端接所述第二傳輸管的控制端；

所述第一電容的第一端接所述第一傳輸管的輸出端和所述第二傳輸管的輸入端，所述第一電容的第二端接輸入射頻信號ANTP；

所述第二電容的第一端接所述第二傳輸管的輸出端，所述第二電容的第二端接地VSS。

2.根據權利要求1所述的整流電路,?其特征在于,?所述第一傳輸管和所述第二傳輸管均為金屬氧化物半導體場效應管MOSEFT管。

3.根據權利要求1所述的整流電路,?其特征在于,所述偏置電路中包括限幅電路。

4.根據權利要求1所述的整流電路,?其特征在于,所述偏置電路中包括濾波電路。

5.根據權利要求1所述的整流電路,?其特征在于,所述第一傳輸管為NMOS管，所述第二傳輸管為PMOS管，所述NMOS管的源極為所述第一傳輸管的輸入端，漏極為所述第一傳輸管的輸出端，柵極為所述第一傳輸管的控制端，所述PMOS管的漏極為所述第二傳輸管的輸入端，源極為所述第二傳輸管的輸出端，柵極為所述第二傳輸管的控制端。

6.根據權利要求5所述的整流電路,?其特征在于,所述偏置電路包括包括第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第一濾波電容（Cg1）、第二濾波電容（Cg2）和第三濾波電容（Cg3），第三NMOS管（N3）的源極與第三PMOS管（P3）的源極相連并共同接第一濾波電容（Cg1）的第二端，第一濾波電容（Cg1）的第一端為該偏置電路的第三輸入端；?第三PMOS管（P3）的漏極與第三NMOS管（N3）的柵極相連并共同接偏置電路的第一輸出端，第三NMOS管（N3）的漏極與第三PMOS管（P3）的柵極相連并共同接偏置電路的第二輸出端；第二NMOS管（N2）的漏極與柵極相連并共同接第三PMOS管（P3）的漏極，源極接偏置電路的第一輸入端；第二PMOS管（P2）的漏極與柵極相連并共同接第三NMOS管（N3）的漏極，源極接偏置電路的第二輸入端；第二濾波電容（Cg2）連接在第三PMOS管（P3）的漏極和該偏置電路的第一輸入端之間；第三濾波電容（Cg3）連接在第三NMOS管（N3）的漏極和偏置電路的第二輸入端之間。

7.根據權利要求5所述的整流電路,?其特征在于,所述偏置電路包括第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）、第一濾波電容（Cg1）、第二濾波電容（Cg2）和第三濾波電容（Cg3），第三NMOS管（N3）和第四NMOS管（N4）的源極相連并共同接第一濾波電容（Cg1）的第二端，第一濾波電容（Cg1）的第一端為偏置電路的第三輸入端；第四NMOS管（N4）的柵極接第四NMOS管（N4）的源極，漏極接偏置電路的第一輸出端；第三NMOS管（N3）的柵極接第三NMOS管（N3）的漏極并共同接偏置電路的第二輸出端；第一二極管（D1）的正極接第四NMOS管（N4）的漏極，負極接偏置電路的第一輸入端；第二二極管（D2）的正極接第三NMOS管（N3）的漏極，負極接偏置電路的第二輸入端；第二濾波電容（Cg2）連接在第四NMOS管（N4）的漏極和偏置電路的第一輸入端之間；第三濾波電容（Cg3）連接在第三NMOS管（N3）的漏極和偏置電路的第二輸入端之間。