[發明專利]基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法及測量裝置

無效

• 申請號: 201110392066.6
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103135120A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 靳根;陳法國;劉倍;徐園;王希濤;楊亞鵬
• 申請（專利權）人: 中國輻射防護研究院
• 主分類號: G01T1/02
• 分類號: G01T1/02;G01T1/24;G01T1/202
• 代理公司: 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311
• 代理人: 田明;任曉航

1.一種基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法，其特征在于：該方法首先確定γ輻射測量的量程，對于高量程的測量采用硅半導體探測器，對于低量程的測量采用由閃爍晶體和硅光電倍增器組成的閃爍體探測器。

2.如權利要求1所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法，其特征在于：所述的硅半導體探測器的量程在10^-4～1Gy/h量級，閃爍體探測器的量程在10^-7～10^-4Gy/h量級。

3.如權利要求1或2所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法，其特征在于：低量程的測量包括如下步驟：

(S1)環境中的γ射線照射閃爍晶體，使閃爍晶體發出可見光；

(S2)可見光照射到硅光電倍增器上，經硅光電倍增器的雪崩二極管陣列的光電轉換，產生與可見光強度成正比的電信號；

(S3)電信號經放大后輸出給信號和數據處理單元，進行γ射線的劑量換算，得到輻射劑量值。

4.如權利要求3所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法，其特征在于：在步驟(S3)中，當電信號以脈沖形式輸出時，利用輸出脈沖幅度對劑量的權重函數G(E)函數法來估算輻射劑量。

5.如權利要求3所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量方法，其特征在于：在步驟(S3)中，當電信號以電流形式輸出時，由電流信號直接轉換為輻射劑量，并同時進行溫度補償。

6.一種基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量裝置，其特征在于：包括高量程探頭和低量程探頭，所述的高量程探頭為硅半導體探測器，所述的低量程探頭為由閃爍晶體和硅光電倍增器組合而成的探頭，高量程探頭和低量程探頭分別連接電源，高量程探頭和低量程探頭的輸出端分別與信號和數據處理單元連接，信號和數據處理單元與具有顯示、報警和設定功能的人機交互平臺連接。

7.如權利要求6所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量裝置，其特征在于：所述的低量程探頭的閃爍晶體和硅光電倍增器之間通過光導連接。

8.如權利要求6或7所述的基于硅光電倍增器的區域γ輻射測量裝置，其特征在于：所述的閃爍晶體為CsI(T1)晶體。