[發明專利]一種電極改造方法、裝置及用于刻蝕的機臺

無效

• 申請號: 201110391992.1
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103137402A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 匡友停
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04;H01J37/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種電極改造方法，其特征在于，包括以下步驟：

將用于刻蝕的機臺的下電極表面置于電解液中，對所述下電極表面進行氧化；

將氧化后的下電極安裝在所述機臺上。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化方式為陽極氧化。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，陽極氧化過程中，將所述下電極置為陽極。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述陽極氧化的過程包括：將陽極材料及陰極材料置于電解液中，當電流通過時，在陰極釋放出氫氣，在陽極析出氧分子，作為陽極的所述下電極材料被其上析出的氧所氧化，形成氧化物膜。

5.如權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述氧化物膜形成在下電極表面。

6.一種電極改造裝置，其特征在于，包括：

處理模塊，用于將用于刻蝕的機臺的下電極表面置于電解液中，對所述下電極表面進行氧化；

操作模塊，用于將氧化后的下電極安裝在所述機臺上。

7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊采用陽極氧化的方式對所述下電極表面進行氧化。

8.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊在陽極氧化過程中將所述下電極置為陽極。

9.一種用于刻蝕的機臺，包括下電極，其特征在于，所述下電極表面覆蓋有一層氧化物膜。

10.如權利要求9所述的機臺，其特征在于，所述氧化物膜為將所述下電極表面進行陽極氧化后生成。

11.如權利要求10所述的機臺，其特征在于，所述氧化物膜的厚度范圍為[6μm，25μm]。

12.如權利要求11所述的機臺，其特征在于，所述氧化物膜包括阻擋層及多孔的外層。

13.如權利要求12所述的機臺，其特征在于，

所述阻擋層由無水氧化物所組成，用于阻擋電流通過；

所述外層由非晶型的氧化物及小量的水合氧化物所組成，用于防止所述氧化物膜被腐蝕。

14.如權利要求12所述的機臺，其特征在于，所述阻擋層的厚度范圍為[0.03μm，0.05μm]。