[發(fā)明專利]模擬開關(guān)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110391920.7 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102437841A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 龍爽;陳巍巍;陳嵐;楊詩洋;龔晨 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H03K17/16 | 分類號： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 模擬 開關(guān)電路 | ||
1.一種模擬開關(guān)電路，包括：
第一開關(guān)支路，包含第一類型的第一開關(guān)管，其中第一開關(guān)管的輸入為所述模擬開關(guān)電路的第一輸入，第一開關(guān)管的輸出為所述模擬開關(guān)電路的輸出，該輸出上連接有輸出電容器；
第二開關(guān)支路，包含第二類型的第二開關(guān)管和第三開關(guān)管，其中第二開關(guān)管的輸入為所述模擬開關(guān)電路的第二輸入，第二開關(guān)管的輸出連接到第三開關(guān)管的輸入，第三開關(guān)管的輸出為所述模擬開關(guān)電路的輸出；
第一開關(guān)支路控制電路，包含串聯(lián)連接的電阻器，第一NMOS和第二NMOS，其中電阻器的一端連接到第一開關(guān)管的輸入，電阻器的另一端連接到第一NMOS的漏極，第一NMOS的源極連接到第二NMOS的漏極，第二NMOS的源極接地，并且電阻器和第一NMOS的漏極的連接節(jié)點連接第一開關(guān)管的控制端，第一NMOS的柵極連接所述模擬開關(guān)電路的控制端，第二NMOS的柵極接固定電平；
第二開關(guān)支路控制電路，包含串聯(lián)連接的電荷泵，第三NMOS和第四NMOS，其中電荷泵的使能輸入連接到所述模擬開關(guān)電路的控制端，電荷泵的輸出連接到第三NMOS的漏極，第三NMOS的源極連接到第四NMOS的漏極，第四NMOS的源極接地，并且電荷泵的輸出和第三NMOS的漏極的連接節(jié)點連接第二開關(guān)管和第三開關(guān)管的控制端，第三NMOS的柵極連接所述模擬開關(guān)電路的控制端，第四NMOS的柵極接固定電平；
電壓設(shè)置支路，包含二極管特性元件，其正極連接到所述模擬開關(guān)電路的第一輸入，其負極連接到第二開關(guān)管和第三開關(guān)管的連接節(jié)點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一類型的第一開關(guān)管是PMOS或者PNP型三極管，所述第二類型的第二開關(guān)管和第三開關(guān)管是NMOS或者NPN型三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述二極管特性元件為柵極與漏極連接的NMOS管，二極管，或者基極與集電極連接的NPN三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電荷泵為兩相位多級電荷泵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電荷泵的輸出電壓至少為所述模擬開關(guān)電路的第二輸入的電平與第二開關(guān)管和第三開關(guān)管的開啟電壓之和。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述模擬開關(guān)電路的第一輸入為具有大電流輸出能力的強電源，所述模擬開關(guān)電路的第二輸入的電平高于所述模擬開關(guān)電路的第一輸入，而電流輸出能力弱于所述模擬開關(guān)電路的第一輸入。
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