[發(fā)明專利]晶圓清洗方法、晶圓清洗裝置以及晶圓

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• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN103128073A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亞威;簡志宏
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/02;H01L21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐小會;高為

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓清洗方法、晶圓清洗裝置以及利用該晶圓清洗方法進(jìn)行清洗所獲得的晶圓。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，清洗是其中最重要和最頻繁的步驟之一。一般來說，晶圓在存儲、裝載和卸載的過程中，以及在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造工藝中，通常都會在晶圓上留下顆粒。因此，通常需要采用清洗的步驟來避免晶圓上殘留的顆粒。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種晶圓清洗方法、晶圓清洗裝置和經(jīng)過清洗的晶圓，用于對晶圓進(jìn)行清洗。

本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

1、一種晶圓清洗方法，其特征在于，所述晶圓清洗方法包括步驟：

將帶有顆粒的晶圓浸沒于清洗槽中的清洗液中；以及

旋轉(zhuǎn)晶圓，同時(shí)向所述晶圓的中心噴射清洗液，從而利用所產(chǎn)生的曳力F_D將所述顆粒與所述晶圓分離。

2、如技術(shù)方案1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，???????????????????????????????????????????????，其中η是動態(tài)粘度，R是顆粒半徑，V_D是在顆粒的中心處平行于晶圓的清洗液的速度，f_D是阻力系數(shù)。

3、如技術(shù)方案1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，向所述晶圓的中心噴射的清洗液與所述晶圓的表面成在35°至45°之間的角度。

4、如技術(shù)方案3所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述角度為40°。

5、如技術(shù)方案1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，向所述晶圓的中心噴射清洗液75-85秒。

6、如技術(shù)方案1所述的晶圓清洗方法，其特征在于，所述清洗液為去離子水。

7、一種晶圓清洗裝置，其特征在于，所述晶圓清洗裝置包括：

清洗槽，所述清洗槽包括用于承載并旋轉(zhuǎn)晶圓的承載單元，并且所述清洗槽填充有清洗液使得晶圓浸沒在清洗液中；以及

噴射單元，具有用于在旋轉(zhuǎn)晶圓時(shí)噴射清洗液于晶圓的中心的噴頭。

8、如技術(shù)方案7所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述噴射單元具有調(diào)整器，用于調(diào)整所述噴頭的噴射角度使得噴射出的清洗液與晶圓表面成角度。

9、如技術(shù)方案8所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，噴射出的清洗液與晶圓表面成35°至45°之間的角度。

10、如技術(shù)方案9所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述角度為40°。

11、如技術(shù)方案7-10之一所述的晶圓清洗裝置，其特征在于，所述清洗液為去離子水。

12、利用技術(shù)方案1-6之一所述的方法進(jìn)行清洗后的晶圓。

利用本發(fā)明，可以對晶圓進(jìn)行清洗，減少了晶圓表面的顆粒。

附圖說明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的晶圓清洗方法的示意性流程圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明的晶圓清洗裝置的示意性方塊圖；

圖3a、3b為根據(jù)本發(fā)明的顆粒分離過程示意圖；以及

圖4為根據(jù)本發(fā)明的效果曲線圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中相同的參考標(biāo)號表示相同的元件。在本發(fā)明的公開內(nèi)容中，術(shù)語“在...之間”或其類似表述包括端點(diǎn)。例如，在1和5之間包括端點(diǎn)1和5。

圖1為根據(jù)本發(fā)明的晶圓清洗方法的示意性流程圖。如圖1所示，在步驟100，將帶有顆粒的晶圓放入清洗槽中，其中清洗槽中填充有清洗液，使得晶圓浸沒在清洗液中。優(yōu)選地，該清洗液為去離子水。通常晶圓表面浸在去離子水中，且顆粒到去離子水表面的距離遠(yuǎn)大于顆粒尺寸。

在步驟110，旋轉(zhuǎn)晶圓，同時(shí)向所述晶圓的中心噴射清洗液。從而利用所產(chǎn)生的曳力F_D將所述顆粒與所述晶圓分離。

其中，，其中η是動態(tài)粘度，R是顆粒半徑，V_D是在顆粒的中心處平行于晶圓的清洗液速度，f_D是阻力系數(shù)。

通常，由于顆粒的形狀的不同，顆粒的重心會有差異，故顆粒重心與晶圓表面和清洗槽中的去離子水的表面有距離。f_D與顆粒尺寸和顆粒重心到晶圓表面和清洗槽中的去離子水的表面的垂直距離有關(guān)。顆粒尺寸越大、顆粒到晶圓表面的距離越大、顆粒到去離子水表面的距離越小，則f_D越大。

優(yōu)選地，所述噴射的清洗液與所述晶圓的表面成在35°至45°之間的角度。更優(yōu)選地，所述角度為40°。