[發明專利]浮體效應存儲器件用SOI硅片及制造方法、存儲器件

無效

• 申請號: 201110391731.X
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102412253A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/762;H01L21/324;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;郭曉東

1.一種浮體效應存儲器件用SOI硅片，其特征在于，包括：

底層硅，

氧埋層，其形成在所述底層硅上，并且摻雜有氮離子，

襯底，其形成在所述氧埋層上；

在所述氧埋層中，在所述氧埋層與所述襯底的界面附近具有由氮離子形成的懸掛鍵。

2.一種浮體效應存儲器件用SOI硅片的制造方法，其特征在于，包括：

第一步驟，對硅片進行氧離子注入，以將所述硅片分為底層硅、硅的氧化物沉淀層、襯底，

第二步驟，在氧+氮氣氛環境下對所述硅片進行超高溫退火，以形成摻雜有氮離子的氧埋層。

3.如權利要求2所述的浮體效應存儲器件用SOI硅片的制造方法，其特征在于，

在所述第一步驟中，對所述硅片進行氧離子注入的層間高劑量范圍為1E17/cm²～5E18/cm²。

4.如權利要求2所述的浮體效應存儲器件用SOI硅片的制造方法，其特征在于，

在所述第二步驟中，所述超高溫退火的溫度范圍為1150～1300攝氏度。

5.如權利要求2所述的浮體效應存儲器件用SOI硅片的制造方法，其特征在于，

在氧+氮氣氛環境中，氮氣所占的比例為10％～80％。

6.一種浮體效應存儲器件，使用如權利要求1所述的SOI硅片制造而成。