[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器和制造該多層陶瓷電容器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110391486.2
• 申請(qǐng)日: 2011-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543436A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金亨俊;金鐘勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/30
• 分類號(hào): H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 李翔;董彬

1.一種制造多層陶瓷電容器的方法，該方法包括：

制備多個(gè)第一陶瓷基片和多個(gè)第二陶瓷基片，多個(gè)第一帶型內(nèi)電極圖形平行地印刷在所述多個(gè)第一陶瓷基片上，多個(gè)第二帶型內(nèi)電極圖形平行地印刷在所述多個(gè)第二陶瓷基片上；

通過(guò)交替地堆疊所述第一陶瓷基片和所述第二陶瓷基片使得所述多個(gè)第一帶型內(nèi)電極圖形和所述多個(gè)第二帶型內(nèi)電極圖形交替地堆疊，形成層合板；

將所述層合板切割成條型層合板以橫斷所述多個(gè)第一帶型內(nèi)電極圖形和多個(gè)第二帶型內(nèi)電極圖形以形成第二側(cè)和第四側(cè)；和

通過(guò)將陶瓷漿料施加到所述條型層合板的所述第二側(cè)和所述第四側(cè)，形成第一側(cè)件和第二側(cè)件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述層合板包括：形成所述層合板使得所述第一帶型內(nèi)電極圖形或第二帶型內(nèi)電極圖形的中心部分和形成在設(shè)置在相鄰陶瓷基片上的所述多個(gè)第二帶型內(nèi)電極圖形或多個(gè)第一帶型內(nèi)電極圖形之間的間隙部分設(shè)置在共同軸線上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括：在形成所述第一側(cè)件和所述第二側(cè)件之前或之后，通過(guò)將所述條型層合板切割成芯片尺寸部分以包括所述第一帶型內(nèi)電極圖形或第二帶型內(nèi)電極圖形的中心部分和形成在布置在相鄰的陶瓷基片上的所述多個(gè)第二帶型內(nèi)電極圖形或多個(gè)第一帶型內(nèi)電極圖形之間的間隙部分，而形成還包括第一側(cè)和第三側(cè)的多個(gè)多層主體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，該方法還包括在所述多層主體的所述?第一側(cè)和所述第三側(cè)的每一個(gè)上形成第一外電極和第二外電極。

5.一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括：

多層主體，該多層主體中堆疊有多個(gè)電介質(zhì)層；

第一外電極和第二外電極，該第一外電極和第二外電極分別形成在所述多層主體的相對(duì)的第一側(cè)和第三側(cè)上；

第一內(nèi)電極圖形，該第一內(nèi)電極圖形暴露至所述第一側(cè)并且形成在所述多層主體中以覆蓋電介質(zhì)層并距離所述第三側(cè)預(yù)定間隔；

第二內(nèi)電極圖形，該第二內(nèi)電極圖形形成在所述多層主體中以與所述第一內(nèi)電極圖形交替地堆疊，所述第二內(nèi)電極圖形通過(guò)至少一個(gè)電介質(zhì)層與所述第一內(nèi)電極圖形分離并暴露至所述第三側(cè)以覆蓋所述電介質(zhì)層并距離所述第一側(cè)預(yù)定間隔；和

在層合板中的第一側(cè)件和第二側(cè)件，通過(guò)向相對(duì)的第二側(cè)和第四側(cè)上施加陶瓷漿料形成所述第一側(cè)件和第二側(cè)件，所述第一內(nèi)電極圖形和所述第二內(nèi)電極圖形暴露至所述第二側(cè)和第四側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，如果所述多層主體的高度是h1，并且由于形成在所述多層主體中的所述第一內(nèi)電極圖形和第二內(nèi)電極圖形而形成臺(tái)階的部分的高度是h2，則h1和h2滿足以下公式1：

(h1-h2)/h1≤0.15…公式1。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，通過(guò)控制用于所述第一側(cè)件和所述第二側(cè)件的陶瓷漿料的量而控制所述第一側(cè)件和所述第二側(cè)件的厚度。?

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一內(nèi)電極圖形和所述第二內(nèi)電極圖形彼此間隔開(kāi)，并且所述第一內(nèi)電極圖形和所述第二內(nèi)電極圖形以絕緣距離與所述第三側(cè)和所述第一側(cè)間隔開(kāi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一內(nèi)電極圖形和所述第二內(nèi)電極圖形分別彼此間隔開(kāi)，并且以20μm或更大的間隔與所述第三側(cè)和所述第一側(cè)間隔開(kāi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，與所述電介質(zhì)層的區(qū)域相比，所述第一內(nèi)電極圖形或所述第二內(nèi)電極圖形的區(qū)域是90％或更大。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，與所述電介質(zhì)層的區(qū)域相比，所述第一內(nèi)電極圖形和所述第二內(nèi)電極圖形之間的重疊區(qū)域是80％或更大。?