[發明專利]化學機械研磨中的清洗方法

無效

• 申請號: 201110391405.9
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102437021A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 白英英;毛智彪;徐友峰;張守龍;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;郭曉東

1.一種化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，包括：

第一步驟，使晶片在清洗室中豎直放置；

第二步驟，使噴霧裝置的噴嘴移動至與所述晶片相對應的位置，噴出霧狀的清洗劑，對晶片的正面和背面中的至少一個面進行清洗。

2.如權利要求1所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，在豎直放置的晶片的兩側具有所述噴霧裝置，通過所述噴霧裝置對晶片的正面和背面同時進行清洗。

3.如權利要求2所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，所述噴霧裝置具有氣體入口、清洗液入口以及噴頭，通過從氣體入口導入的氣體使清洗液霧化來形成清洗液的噴霧。

4.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，在對晶片的正面和背面同時進行清洗時，使對晶片正面進行清洗的噴霧的噴出力量大于對晶片的背面進行清洗的噴霧的噴出力量。

5.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，在清洗過程中使晶片進行旋轉。

6.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，在清洗過程中使噴頭沿著晶片豎直放置的方向移動。

7.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，使噴頭朝向與垂直于晶片的方向形成角度的方向噴出噴霧。

8.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，從氣體入口導入的氣體為氮氣或稀有氣體。

9.如權利要求1至3中任一項所述的化學機械研磨中的清洗方法，其特征在于，在噴霧過程中使流量、壓力、時間變化。