[發明專利]半導體芯片

有效

• 申請號: 201110391347.X
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102543918A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 宇都野紀久生
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H02J7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種半導體芯片，對其四邊鑲邊而形成為矩形，該半導體芯片的特征在于，具有：

第1端子，其沿著所述四邊之中的一個邊形成，與太陽能電池電連接；

第2端子，其沿著所述一個邊形成，與二次電池電連接；

布線，其電連接所述第1端子與所述第2端子。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述布線上連接有放電部，該放電部對由所述太陽能電池供給的電力進行放電，

所述放電部在所述第1布線和所述半導體芯片的所述四邊之中的與所述一個邊不同的邊之間形成。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片，其特征在于，

從所述第1端子到所述放電部的所述布線的布線電阻比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的布線電阻小。

4.根據權利要求2或者3所述的半導體芯片，其特征在于，

從所述第1端子到所述放電部的所述布線的長度比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的長度短。

5.根據權利要求2所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述布線上設置有逆流防止部，該逆流防止部防止從所述二次電池向所述太陽能電池的電流的逆流，所述放電部連接在所述布線上的所述第1端子與所述逆流防止部之間。

6.根據權利要求2所述的半導體芯片，其特征在于，

所述放電部沿著所述半導體芯片的四邊之中的離所述放電部的距離最近的邊形成，并且與連接在接地電位上的第3端子電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體芯片，其特征在于，

所述半導體芯片的四邊之中的最近的邊是所述一個邊。

8.根據權利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，

所述第1端子與所述第2端子相互鄰接地形成。

9.一種半導體芯片，對其四邊鑲邊而形成為矩形，該半導體芯片的特征在于，具有：

第1端子，其沿著所述四邊之中的一個邊形成，與太陽能電池電連接；

第2端子，其沿著與所述一個邊相鄰的另一個邊形成，與二次電池電連接；

布線，其電連接所述第1端子與所述第2端子。

10.根據權利要求9所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述布線上連接有放電部，該放電部對由所述太陽能電池供給的電力進行放電，

所述放電部在所述第1布線和所述半導體芯片的所述四邊之中的與所述一個邊以及所述另一個邊不同的邊之間形成。

11.根據權利要求10所述的半導體芯片，其特征在于，

從所述第1端子到所述放電部的所述布線的布線電阻比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的布線電阻小。

12.根據權利要求10或者11所述的半導體芯片，其特征在于，

從所述第1端子到所述放電部的所述布線的長度比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的長度短。

13.根據權利要求10所述的半導體芯片，其特征在于，

在所述布線上設置有逆流防止部，其防止從所述二次電池向所述太陽能電池的電流的逆流，所述放電部連接在所述布線上的所述第1端子與所述逆流防止部之間。

14.根據權利要求10所述的半導體芯片，其特征在于，

所述放電部沿著所述半導體芯片的四邊之中的離所述放電部的距離最近的邊形成，并且與連接在接地電位上的第3端子電連接。

15.根據權利要求14所述的半導體芯片，其特征在于，

所述半導體芯片的四邊之中的最近的邊是所述一個邊或者所述另一個邊。

16.根據權利要求9所述的半導體芯片，其特征在于，

所述第1端子與所述第2端子相互相鄰地形成。