[發明專利]硅納米線的制造方法有效
| 申請號： | 201110391240.5 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102437064A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 曹永峰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張浴月;張志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 制造 方法 | ||
1.一種硅納米線的制造方法，其特征在于，包括：
提供壓印模板，所述壓印模板上構建有源/漏極區以及硅納米線布局的圖形；
使用所述壓印模板形成所述硅納米線探測單元中的硅納米線。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供壓印模板的步驟包括：利用互補金屬氧化物圖形化工藝在硅片上形成所述壓印模板。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用所述壓印模板形成所述硅納米線探測單元中的硅納米線的步驟包括：
在硅襯底上生成二氧化硅層，在所述二氧化硅層上沉積多晶硅層，并在所述多晶硅層旋涂光刻膠層；
利用所述壓印模板壓印所述光刻膠層，同時實施烘焙工藝，以在所述多晶硅層表面上壓印出第一光刻膠層以及與所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形對應的第二光刻膠層，然后取走所述壓印模板；
利用所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層蝕刻掉與所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形對應的多晶硅層之外的多晶硅層；
剝離與所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形對應的第二光刻膠層，形成所述硅納米線探測單元中的硅納米線。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，利用所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層蝕刻掉與所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形對應的多晶硅層之外的多晶硅層的步驟包括：
蝕刻掉所述第一光刻膠層；
利用所述第二光刻膠層蝕刻掉與所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形對應的多晶硅層之外的多晶硅層。
5.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述旋涂的光刻膠層的厚度比所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形的厚度厚15納米到25納米。
6.根據權利要求3-5任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述源/漏極區以及硅納米線布局的圖形的厚度介于100納米到140納米之間。
7.根據權利要求3-5任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述旋涂的光刻膠層的厚度為115納米到165納米。
8.根據權利要求3-5任意一項所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的厚度介于15納米到25納米之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
