[發明專利]一種光刻機曝光方法有效
| 申請號： | 201110391163.3 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102411266A | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發明（設計）人： | 朱駿;陳力鈞 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/22 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張浴月;張志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 曝光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻機曝光方法，包括：
步驟101、將硅片傳送至硅片載片臺；
步驟102、開啟真空設備使得硅片載片臺吸住硅片；
步驟103、進行對準，對所述硅片上的芯片進行分批次曝光，其中，在進行每批次曝光時在曝光路徑上以間隔的方式對芯片進行曝光。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述步驟103中對所述硅片上的芯片進行分批次曝光，包括：
在曝光路徑上以間隔的方式對芯片進行第一批次曝光，使得曝光路徑上兩兩曝光了的芯片之間間隔一個未被曝光的芯片；
在所述第一批次曝光之后，以間隔方式對于在所述第一批次曝光過程中未被曝光的其余芯片進行曝光。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述步驟101包括在光刻機連續工作的過程中，當具有第一溫度的所述硅片被傳送至具有第二溫度的所述硅片載片臺之后，將所述硅片在所述硅片載片臺上靜置預設時間，使得所述硅片與所述硅片載片臺之間的溫度相同。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述預設時間為1秒至100秒。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述預設時間為10秒。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述步驟101中將所述硅片在所述硅片載片臺上靜置預設時間的過程中，未開啟所述真空設備。
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