[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110391090.8
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102815658A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 邱義勛;簡廷穎;蘇欽豪;倪其聰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導體器件，包括：

第一硅襯底；

第二硅襯底；以及

觸點，連接所述第一硅襯底和第二硅襯底中的每個，其中，所述觸點包括與所述第一硅襯底鄰近的Ge層、與所述第二硅襯底鄰近的Cu層以及處在所述Ge層和Cu層之間的金屬合金。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述金屬合金包括Ge、Al和Cu的合金；或者

所述金屬合金包括金屬化合物；或者

所述金屬合金與所述Cu層的厚度比從大約0.2至2；或者

所述金屬合金與所述Ge層的厚度比從大約0.4至10。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述金屬化合物包括Al₂Cu；或者

所述金屬化合物包括AlCu；或者

所述金屬化合物包括Al₄Cu₉。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，通過在大約420℃至500℃的溫度下并且在大約45kN至55kN的壓力下加熱所述器件來形成所述觸點。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一硅襯底和所述第二硅襯底之一包括微電子機械系統(MEMS)，而其他襯底包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路；或者

所述第一硅襯底包括微電子機械系統(MEMS)，而所述第二硅襯底包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路。

6.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有第一觸點的第一硅襯底，其中，所述第一觸點包括置于所述襯底和Al層之間的Ge層；

提供具有第二觸點的第二硅襯底，其中，所述第二觸點包括作為最外層的Cu層。

使所述第一觸點接觸所述第二觸點；以及

加熱所述第一觸點和所述第二觸點，從而形成金屬合金，其中，在大約420℃至500℃的溫度下并且在大約45kN至55kN的壓力下執行所述加熱。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述金屬合金包括Ge、Al和Cu的合金：或者

所述金屬合金與所述Cu層的厚度比從大約0.2至2。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，使用低壓化學汽相沉積(LPCVD)工藝形成所述Ge層；或者

使用GeH₄作為Ge源氣體來執行所述LPVCD工藝。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，使用濺射工藝形成所述Ge層；以及

使用Ge作為靶并且使用Ar作為濺射氣體來執行所述濺射工藝。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一硅襯底和所述第二硅襯底之一包括微電子機械系統(MEMS)，而其他襯底包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路；或者

所述第一硅襯底包括微電子機械系統(MEMS)，而所述第二硅襯底包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)電路。